团簇物理的新进展(Ⅱ)——关于原子团簇和原子核的相似点和不同点

本文重点讨论金属原子团簇和原子核两费米子体系之间相似之处，如饱和性、壳结构、集体振荡、Ｊａｈｎ－Ｔｅｌｅｒ效应，裂变和聚合反应等，以及由于两者凝聚力的本质差别所造成的不同点。

硅基GaN外延层微结构的HREM研究

由于ＧａＮ薄膜在光电子学方面具有潜在的巨大应用前景，目前国际上对其进行了广泛的研究，但这些应用的实现有赖于生长出高质量的ＧａＮ单晶薄膜，以便有目的地掺杂ｎ－型和ｐ－型。迄今为止，ＧａＮ生长的极大部分工作为异质外延于蓝宝石（α－Ａｌ２Ｏ３）衬底上，而将...

稀土掺杂锰氧化物庞磁电阻效应

过去十多年来,具有庞磁电阻效应的稀土掺杂锰氧化物成为了凝聚态物理研究的重要领域。锰氧化物的载流子自旋极化率高,且在居里温度附近表现出很大的磁电阻效应,因此在自旋电子学中有潜在的应用前景。另一方面,锰氧化物是典型的强关联电子体系,它对目前有关强关联体系的认识提出了很大挑战。本文综述了锰氧化物的各种性质及其物理原因。全文首先概述了锰氧化物的庞磁电阻效应及其晶格和电子结构,简单介绍了其他一些庞磁电阻材料;随后综述了锰氧化物的电荷/轨道有序相及其输运性质;在第四部分简单介绍了锰氧化物中庞磁电阻效应的机制;最后讨论了锰氧化物的一些可能的应用,如低场磁电阻效应、磁隧道结、磁p＿n结以及全钙钛矿的场效应管和自旋极化电子注入装置等。

一种合成HgBa_2Ca_2Cu_3O_（8＋δ）超导体的新方法

采用加压烧结工艺在１０～３０ＭＰａ压强下合成了超导化合物ＨｇＢａ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（８＋δ）。样品的ＸＲＤ、磁化率和电阻测量结果表明：这种方法制备的Ｈｇ系超导样品的起始转变温度在１３０Ｋ以上，样品主要由ＨｇＢａ_２Ｃａ_２Ｃｕ_３Ｏ_（８＋δ）（即Ｈｇ－１２２３相）组成。由经验得知：在１０～３０ＭＰａ压强范围内，压力变化对Ｈｇ系超导体的起始转变温度无明显影响，但烧结过程中的升温速率对样品制备十分重要。

非挥发浮栅存储器用PtAu纳米颗粒单层膜的制备

将Langmuir-Blodgett(LB)膜等化学方法应用于非挥发浮栅存储器制备工艺中.采用反相微乳液方法合成的分散良好的PtAu纳米颗粒粒径约为5 nm,并应用LB膜方法在存储器隧穿氧化层上制备了PtAu纳米颗粒的单层膜.采用SEM对LB膜的表面形貌进行观测,研究了表面压对成膜质量的影响,结果表明在表面压为15 mN/m时可获得密度为1011cm-2均匀分布的PtAu纳米颗粒单层二维阵列,可应用于非挥发性金属纳米颗粒浮栅存储器,并成功拓展了LB膜等化学方法的应用范围.

与畴界有关的介电损耗、介电常数和内耗研究Ⅱ.理论部分

提出了畴界与外场、晶格及缺陷间的互作用模型以及畴界间的互作用模型,并在该模型基础上,系统地解释了与畴界运动有关的介电损耗、介电常数的和内耗(f=1KHz～10KHz)。

人工合成PbWO_4晶体的电子探针研究

人工合成的ＰｂＷＯ４晶体是新型的闪烁体材料，本工作仔细选择合适的工作条件，对ＰｂＷＯ４晶体进行了精确的电子探针定量分析，揭示了晶体生长过程中组元成分Ｗ和Ｐｂ的变化规律。本研究成果为改进晶体生长条件提供了依据。

稀土锰氧化物低场磁电阻效应

掺杂稀土锰氧化物是典型磁性半导体钙钛矿氧化物,其庞磁电阻(CMR)效应代表了过去10年凝聚态物理探索的电子强关联主要体系之一,同时在自旋电子学中有着潜在的应用前景。要实现自旋电子学应用,必须大幅度提高稀土锰氧化物低场磁电阻效应(LFMR)并深刻理解与此相关的物理问题。本文将阐述LFMR产生的基本原理和研究现状,讨论低场磁电阻效应的理论模型和增强低场磁电阻效应的方法。

碳纳米管在轴向磁场中的电子态密度

研究了纳米碳管在接近轴向的磁场中的Aharonov Bohm效应 ,计算结果表明纳米碳管的电子态密度会被磁场剧烈地改变 ,所有的纳米碳管都会出现一个随穿过的磁通量周期化的能隙 ,周期为h/e ,因此纳米碳管的导电性也随磁通周期地改变 ;但对不同类型 (金属型和半导体型 )的纳米碳管 。

利用逐层生长技术制备硅薄膜的研究

本文介绍了在ＰＥＣＶＤ系统中利用逐层生长技术（ＬａｙｅｒｂｙＬａｖｅｒ）沉积硅薄膜，薄膜在衬底温度只有２５０℃的情况下已晶化．本文对于氢在薄膜沉积过程中的剪裁作用进行了分析，并对薄膜的结构和光电性质作了详细的研究．

单相多铁性材料--极化和磁性序参量的耦合与调控

单相多铁性材料是指同时表现出铁电性和磁性的单相化合物,最近的研究还拓展到具有铁性磁涡旋的体系.一方面,多铁性材料同时具有铁电性和磁性;更为重要的是,铁电性与磁性之间存在磁电耦合效应,从而可能实现铁电性和磁性的相互调控.因此,多铁性材料是一种新型多功能材料,在自旋电子学和其他领域有着广阔的应用前景.从凝聚态物理角度看,多铁性现象本身也对铁电学、磁学和强关联电子物理提出了很多基本问题和挑战,成为量子调控研究的一个热点领域.多铁性物理在最近几年开始复兴,并取得了很大进展.综述了多铁性物理这一领域的研究现状和存在的主要问题.首先,简单介绍多铁性与磁电耦合效应的概念以及它们之间的联系,重点阐述实现多铁性的困难,亦即铁电性和磁性的互斥性.其次,详细介绍了单相体系中实现铁电性与磁性共存的一些可能物理机制,其中重点介绍两个新的物理机制:(ⅰ)非共线螺旋状磁结构引起的铁电性和(ⅱ)电荷有序相导致的铁电性.这两类系统中磁性和铁电性之间在量子层次上存在很强的耦合和互相调控效应.随后,叙述了多铁性系统中存在的元激发——电磁振子,以及铁性磁涡旋效应.最后,指出了多铁性材料可能的应用以及尚未解决的问题.

非晶态半导体超晶格中的纵声学声子折叠效应

报道用喇曼散射技术对a-Si:H/a-SiN:H和a-Si:H/a-SiC:H两种周期性超晶格中纵声学声子折叠模的系列研究结果。获得了a-Si:H/a-SiC:H超晶格的纵声学声子折叠谱。并用弹性连续介质模型对折叠纵声学声子的色散关系进行了理论计算,其结果与实验值符合得很好。同时,对布里渊区中心频隙的存在做了简单的讨论。

脉冲激光辐照下半导体薄膜中温度场的计算

利用理论模型求得了脉冲激光辐照半导体薄膜材料的温度场解析解。结合ＫｒＦ准分子脉冲激光对淀积在熔凝石英衬底上的ａ－ＳｉＨ薄膜以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料的热退火处理，分析了膜厚、激光能量密度以及ａ－ＳｉＨ／ａ－ＳｉＮｘＨ多量子阱结构材料中的子层厚度比对温度场性质及ａ－ＳｉＨ薄膜的晶化效果的影响。

重温Pb(ZrxTi(1-x))O3铁电薄膜极化疲劳问题

具有ABO3型钙钛矿结构的Pb(ZrxTi1-x)O3(PZT)展示出良好的铁电极化性能,是使用最广的铁电材料.然而,在将它应用于铁电存储时,PZT薄膜遭遇到极化疲劳问题而被SrBi2Ta2O9(SBT)等铁电体所替代,这一问题至今未能得到妥善解决.文章首先通过变温极化疲劳实验充分理解PZT极化疲劳的基本过程,然后有针对性地进行材料设计,获得基本无极化疲劳的PZT铁电薄膜.

氢化非晶硅(a-Si:H)光电导研究中的新现象

本文研究衬底温度(T_s)从室温至623K生长的氢化非晶硅的光电导的温度依赖关系.首次发现了出现光电导的热淬灭(TQ)的温度区随a-Si:H的T_s的降低系统地移向较低温度区.光电导特性是衡量非晶态半导体的一个重要参数,因为它不仅涉及到载流子的激发、俘获、复合等过程,而且与载流子的输运特性紧密联系.一些研究小组在研究结论中指出a-Si:H薄膜的光电导对于其生长参数很敏感,如掺杂浓度、生长中的射频功率等.