SHS－铸造法制备Ni－Si金属间化合物的研究

自蔓延高温合成技术（ＳＨＳ）是一种新型的材料合成工艺。本文采用先进的ＳＨＳ－铸造法进行了Ｎｉ－Ｓｉ金属间化合物的合成，并对该方法所制备材料的组织结构、微量Ｂ的影响及材料的耐硫酸腐蚀性能等做了较详细地研究。

高温固相法制备ZnO∶Zn绿色荧光粉及其在近紫外LEDs中的应用研究

采用高温固相法在温度900~1 100℃,时间3h的条件下制备出系列ZnO∶Zn荧光粉样品,并进行了封装应用研究。利用X射线衍射分析(XRD)、场发射扫描电子显微镜(FESEM)、荧光分光光度计(PL)和可见光光谱分析系统等手段对样品分别进行了表征分析。研究结果表明:所制备的荧光粉样品均具有ZnO晶型的六方纤锌矿结构,样品可以有效地被近紫外光激发,所发射的绿光光谱具有宽谱发射特征,峰位于502nm归属于氧空位发射,同时940℃条件下制备的荧光粉样品具有最高的发光强度。结合近紫外LED芯片和RGB荧光粉分别制备出绿光LED和白光LED,其中绿光LED在不同驱动电流(250~500mA)泵浦下表现出稳定的光谱发射特性,发射光谱谱型和色坐标基本未变,发射强度随电流升高而增加,所制备的白光LED在色温3 212K时,显色指数达到94.1,发光效率为85.6lm·W-1(@300mA,9.3V),在(250~500mA)驱动电流泵浦下同时也表现出稳定的光谱发射特性,所制备的ZnO∶Zn绿色荧光粉对于制备高显色、高品质近紫外白光LED具有潜在的应用价值。

材料合成新技术──自蔓延高温合成

自蔓延高温合成（ＳＨＳ）是目前被广泛开发用于工业陶瓷和其它先进材料制备的一种独特的先进工艺技术。本文对生产高科技材料的自蔓延高温合成技术方法进行了介绍，并分析了该工艺的特点及其理论基础，同时还讨论了影响材料合成的因素。

基于分层远程荧光膜白光LED的制备及光谱性能研究

基于荧光粉分层和远程荧光封装技术,采用热压法制备出双层远程荧光膜,并封装出白光LED。通过荧光分光光度计和可见光光谱分析系统研究了绿色和红色远程荧光膜不同分层顺序及不同发射波长对于白光LED光谱性能的影响。研究发现:蓝-绿-红(B-G-R)膜层封装形式相较于蓝-红-绿(B-R-G)辐射发光效率提高了31.69%,色保真度和色域指数均随着红色远程荧光膜波长的增加而升高,发射波长为660nm时制备的白光LED色保真度最高值达到91,色域指数最高值达到104,辐射发光效率值则与波长成反比关系;色保真度随着绿色远程荧光膜波长的增加逐渐降低,色域指数则先降低后升高,发射波长为530nm制备的白光LED具有最高的辐射发光效率,达到300.7lm·W^(-1)。研究所得出的相关结论对于实际的应用具有一定的参考意义。

Mini LED背光源在液晶显示面板上的照度均匀性

基于Taguchi实验方法和Tracepro仿真软件,研究了Mini LED背光模组中LED芯片大小、芯片发光半角、芯片出光面到液晶层的距离等因素,对液晶面板照度均匀性的影响规律并对其进行了相应分析。研究结果表明:芯片出光面到液晶层的距离对照度均匀性影响最大,影响因素的权重占比达到82.88%;发光半角占比14.33%:芯片大小占比为14.33%。根据研究结果,固定发光半角与芯片尺寸,调节出光面与液晶面板层的距离,得到了最优的照度均匀度。

基于电流和双高斯模型的RGB LED光谱仿真与研究

为了探究电流改变对RGB LED芯片光度学、色度学参数产生的影响以及双高斯模型在不同电流下对RGB LED芯片光学特性的预测准确性。结果表明,随着驱动电流IF的增加,红光光谱向长波方向移动,绿光和蓝光光谱产生蓝移,RGB LED芯片的半高宽呈线性增加。不同电流下,双高斯模型拟合得到的光谱与实测光谱接近,红色芯片拟合光谱与实测光谱的相关系数最高为0.993257,绿色为0.994372,蓝色为0.992654,色品坐标(x,y)误差均在3%以内。RGB LED混合高、低色温白光,拟合光谱与实测光谱的相关系数在0.984267以上,拟合色坐标与实测色坐标接近。双高斯模型适用于不同电流下RGB LED混合白光设计,具有一定的理论指导和实践依据。

正交试验法研究磷酸镧锂铈铽荧光粉合成工艺的优化

用正交试验方法研究磷酸镧锂铈铽荧光粉的合成工艺。通过二次正交试验,分析了La2O3,CeO2,(NH4)2HPO4、Li2CO3和H3BO3的用量以及荧光粉烧结温度、烧结时间对荧光粉发光亮度的影响。利用极差分析和作图方法,分析不同因素对磷酸镧锂铈铽荧光粉组成的影响,找出了制备磷酸镧锂铈铽荧光粉的最佳组成、烧成温度和烧结时间。结果表明,La2O3为0.032 5 mol,CeO2为0.01 mol,(NH4)2HPO4为0.12 mol,LiCO3为0.020mol,H3BO3为0.005 mol,烧结温度为1 100℃,烧结时间为1 h时,荧光粉的发光亮度最高。

加热温度对掺杂钨丝再结晶组织和性能的影响

试验研究了在1700-1900℃之间不同温度及真空、分解氨气氛条件下加热对掺杂钨丝再结晶组织形态的影响。 研究结果表明,掺杂钨丝在含有镍、铁和锰的气氛下,由于这些合金元素渗入掺杂钨丝的表层中,使钨丝表层的再结晶温 度大幅度下降,以致掺杂钨丝的表层形成了等轴晶的再结晶组织,这使掺杂钨丝严重脆化,其力学性能也大幅度降低。

加热温度对掺杂钨丝再结晶组织及性能的影响

研究了在1700-1900℃之间不同温度及真空、分解氨气氛条件下加热对掺杂钨丝再结晶组织形态的影响。结果表明,掺杂钨丝在含有镍、铁和锰的气氛下,由于这些合金元素渗入掺杂钨丝的表层中,使钨丝表层的再结晶温度大幅度下降,以致掺杂钨丝的表层形成了等轴晶的再结晶组织,这使掺杂钨丝严重脆化,其力学性能也大幅度降低。

磷灰石结构荧光粉Ba_(10)(PO_4)_6F_2∶Ce^(3+),Tb^(3+)的合成、发光和能量传递

采用高温固相法合成了系列Ce^(3+)和Ce^(3+)/Tb^(3+)激活的具有磷灰石结构荧光粉Ba_(10)(PO_4)_6F_2。用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、激发和发射(PLE和PL)光谱对样品进行了表征分析。研究结果表明:所合成的荧光粉Ba_(10)(PO_4)_6F_2∶Ce^(3+),Tb^(3+)具有氟磷灰石结构,样品微观呈现不规则形貌。荧光粉Ba10-x(PO4)6F2∶x Ce^(3+)的相对发射强度随着x增加而增强,当x=0.09时,荧光强度达到最大。荧光粉Ba_(10)(PO_4)_6F_2∶Ce^(3+),Tb^(3+)的激发光谱为240～330 nm的宽带,发射光谱呈现出Ce^(3+)的5d→4f跃迁紫外光(335和358 nm)发射和Tb^(3+)的4f→4f跃迁绿光(542 nm)发射。光谱特性表明,发光过程中存在Ce^(3+)→Tb^(3+)能量传递,能量传递效率可以达到60%。计算Ce^(3+)和Tb^(3+)的临界距离为0.79 nm,能量传递机理是偶极-偶极交互作用。此外,详细论述了Ce^(3+)和Tb^(3+)之间的能量传递和发光的过程。通过调节Tb^(3+)的掺杂浓度,对荧光粉发光色坐标与Tb^(3+)的掺杂浓度之间的关系也进行了研究,随着Tb^(3+)的掺杂量从0增加0.52,荧光粉Ba_(10)(PO_4)_6F_2∶Ce^(3+),Tb^(3+)的发射光谱色坐标可以从(0.149 4,0.045 1)蓝色区变化到(0.280 1,0.585 3)绿色区。

Al-Cr_2O_3体系燃烧合成反应的热力学分析与实验

首先对ＡｌＣｒ２Ｏ３体系的燃烧合成反应进行了热力学分析，讨论了起始反应温度，Ａｌ２Ｏ３和Ｃｒ２Ｏ３稀释剂以及ＭｏＯ３添加剂对ＡｌＣｒ２Ｏ３体系的绝热反应温度的影响．最后对ＡｌＣｒ２Ｏ３体系进行了热爆和点燃模式的燃烧合成实验，并对实验结果进行了分析．

自蔓延高温合成法制备Al_2O_3-Cr金属陶瓷

研究了稀释剂Ｃｒ２Ｏ３对Ａｌ－Ｃｒ２Ｏ３体系自蔓延高温合成（ＳＨＳ）反应过程及反应产物的影响，并讨论了用自蔓延加压法制备致密的Ａｌ２Ｏ３－Ｃｒ金属陶瓷的可能性．实验结果表明：随稀释剂Ｃｒ２Ｏ３加入量的增加，Ａｌ－Ｃｒ２Ｏ３体系ＳＨＳ反应温度和反应产物的孔隙度逐渐降低，激发反应所需的加热时间延长．稀释剂Ｃｒ２Ｏ３的加入能改善Ａｌ２Ｏ３与Ｃｒ之间的润湿性，避免在反应产物中出现Ｃｒ偏聚和分层现象．在一定稀释剂Ｃｒ２Ｏ３加入量下，通过采用在ＳＨＳ反应结束后迅速施加一压力将可能制备出致密的Ａｌ２Ｏ３－Ｃｒ金属陶瓷．

叠层远程荧光薄膜光谱重吸收效应及封装应用

以无机绿色和红色荧光粉及有机硅胶为原料,采用高温模压法制备单层和叠层远程荧光薄膜,并结合蓝光板上多芯片光源封装出三种结构的白光LED发光器件(单层型,绿-红叠层型,红-绿叠层型).通过荧光分光光度系统、双积分球系统、可见光光谱系统和光谱照度仪等仪器测试了远程荧光薄膜中荧光粉的光谱重吸收特性和所封装白光LED器件的光色性能,并对机理进行了相应的分析.研究结果表明:远程荧光薄膜中红色荧光粉对绿光光谱产生明显重吸收效应,且透射红光光谱色度坐标移动满足线性关系y=-0.881 6x+0.922 5,R^2=0.998 6;叠层远程荧光薄膜可以明显提高所封装白光LED器件的空间色温均匀性,其中绿-红叠层型、红-绿叠层型和单层型白光LED器件空间色温差值分别为485K、487K和799K,空间各处色温的标准偏差和相对标准偏差分别为173.1、172.3、284.6和0.0373、0.052、0.066,同时绿-红叠层型白光LED器件的辐射发光效率达到三种结构中最高的301.1lm·W^(-1)(@350mA,9.2V).

聚合物对Al-Cr_2O_3体系燃烧合成的影响

考察了聚合物对Al-Cr2O3体系燃烧合成过程的影响。结果表明添加聚合物不仅能使铝热反应型体系更易点燃,燃烧波蔓延速度加快,而且还能提高自蔓延燃烧温度,使Al-Cr2O3体系燃烧模式趋向于稳态平面燃烧。

甲基丙烯酸酯共聚物对光敏导电银浆光刻性能的影响

采用甲基丙烯酸酯共聚物制备光敏导电银浆,利用偏光显微镜和扫描电镜研究了共聚物的分子量和酸值对光敏银浆光刻性能的影响。研究结果表明:合成的共聚物能够满足光敏银浆的要求,其分子量过小或酸值过大,均会引起膜层附着力下降,导致光刻电极边缘锯齿、断线或脱落;反之,会造成光刻电极分辨率低。通过研究发现,分子量为60000、酸值为62 mg KOH/g的甲基丙烯酸树脂制备的光敏银浆通过光刻工艺后可以得到高分辨率的电极图形,高温烧结后电极表面致密,边缘无翘曲现象,可以很好地保证电极的可靠性。

银粉对导电银浆表面微结构及导电性能的影响

选用4种不同形貌和堆积密度的银粉制备导电银浆,比较其性能差异,优选一种银粉,在此基础上添加不同比例的纳米银粉,对烧结后的银浆样品进行表面形貌分析和方阻测试。研究不同形貌银粉及搭配对导电银浆性能及膜层结构的影响,结果表明,堆积密度大的球形银粉膜层致密,孔洞较少,方阻为3.2 mΩ/□;在此球形银粉中添加纳米银粉,提高了填充烧结性能,有助于减少烧结后膜层的孔洞,增加了银粉之间的导电通路,从而大大减小膜层的方阻,提高银浆综合性能;球形银粉中加入6%的纳米银粉时,方阻最小,达到2.1 mΩ/□,膜层结构最致密。

ZnO对V2O5-TeO2-B2O3-Bi2O3系玻璃封接性能的影响

以V2O5-TeO2-B2O3-Bi2O3系统为低温封接玻璃材料的研究对象,采用熔融法制备不同ZnO添加量的一系列玻璃粉,通过XRD、DSC、SEM等测试方法研究了ZnO的加入量对低熔点玻璃结构及热性能的影响。结果表明:当ZnO质量分数小于4%时,Zn^2+与自由氧结合形成[ZnO4]四面体,增强网络结构,玻璃化转变温度增大,热膨胀系数减小,热稳定性增加;当ZnO质量分数大于4%时,[ZnO4]/[ZnO6]的比值下降,破坏玻璃网络结构,玻璃化转变温度减小,热膨胀系数增大,热稳定性降低。因此,可以通过ZnO的掺杂调整玻璃性能满足钢化和半钢化真空玻璃的实际封接应用。

低熔点玻璃粉对导电银浆烧结性能及微结构的影响

采用熔融冷却法制备了无铅低熔玻璃粉,利用XRD对所得玻璃粉进行表征。通过四探针仪、扫描电镜等手段研究了玻璃粉含量、软化点对银浆性能的影响。结果表明,玻璃相粘度特性和液相量对粘性流动传质及烧结致密化过程有很大的影响。随着玻璃粉软化点的升高,银浆的方阻逐渐增大,附着力则先增大后减小,玻璃的软化点为420℃时,银浆的导电性能最好,方阻最小为2.4 mΩ/□;当玻璃软化点为450℃时,银膜层的附着力最优为13 N。随着玻璃含量的增加,方阻先增大后减小,当玻璃含量为5%时方阻最小为2.3 mΩ/□,导电性能最好;随着玻璃含量的增加,银层附着力持续增大,通过调节玻璃含量完全可以满足银膜的使用要求。

流变学在聚合物导电银浆中的应用

阐述了流变学的两种测试方法(旋转测试和振荡测试),总结了影响固化后导电膜层质量的因素,并且列出了流变学在固化型导电银浆的应用范例。

近年我国钨钼工业评论

1993年国际上钨产品滞销,中国钨精矿积压,致使其价格跌到历史低谷,到年底世界市场钨价略呈回升迹象。1993年国际市场的钼价看好,特别是钼铁涨势较强劲,但氧化钼供应量对市场的平衡仍起决定性作用。中国的钼价比国际价低得多,这不仅刺激钼的出口,而且导致国内钼价有所上升。