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1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件
1
作者
谯兵
郁鑫鑫
+3 位作者
李忠辉
陶然
周建军
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第1期1-5,共5页
基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉...
基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。
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关键词
金刚石
自对准技术
高电流密度
微波功率
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职称材料
应用于收发链路多模块级联的优化设计方法
2
作者
余秋实
郭润楠
+7 位作者
陈昊
庄园
梁云
闫昱君
吴霞
葛逢春
王维波
陶洪琪
《电子技术应用》
2024年第5期77-83,共7页
为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及...
为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及设计流程进行了简要分析,并通过加工一款采用优化设计方案的4通道X/Ku波段的射频收发芯片,验证了该设计方案的可实现性与有效性。在8 GHz~18 GHz频带范围内,该芯片与基于端口驻波设计体系的原芯片相比,收发链路增益分别为6.5 dB和14 dB,提升了超过2 dB。发射链路输出功率21 dBm,发射效率为15.7%,分别提升了1 dB和9%。接收链路噪声系数为8.72 dB,降低了1.2 dB。收发链路最大移相均方根误差为5.12°和5.25°,分别下降了3.17°和1.75°。
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关键词
多模块级联
X/Ku波段
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
相控阵收发芯片
下载PDF
职称材料
高耐压氧化镓射频场效应晶体管
3
作者
郁鑫鑫
周建军
+5 位作者
李忠辉
陶然
吴云
张凯
孔月婵
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第5期F0003-F0003,共1页
超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效...
超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效应严重,频率性能受限。南京电子器件研究所联合南京大学、上海微系统所、天津电子材料研究所,突破了氧化镓上低能离子注入沟道技术,实现了高浓度的类二维电子气超薄导电沟道,研制出高击穿电压的氧化镓射频场效应晶体管[1]。
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关键词
场效应晶体管
二维电子气
氧化镓
电力电子器件
短沟道效应
击穿电压
射频器件
宽禁带
下载PDF
职称材料
题名
1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件
1
作者
谯兵
郁鑫鑫
李忠辉
陶然
周建军
陈堂胜
机构
南京
电子器件
研究所
南京
电子器件
研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024年第1期1-5,共5页
文摘
基于自对准栅电极制备技术,研制了具有低导通电阻和高电流密度的氢终端金刚石微波功率器件。采用高功函数金属Au与氢终端金刚石实现了良好的欧姆接触,接触电阻为0.73Ω·mm。得益于较低的源漏串联电阻和低损伤Al2O3栅介质原子层沉积工艺,金刚石微波器件的导通电阻低至4Ω·mm,饱和电流密度达1.01 A/mm,最大跨导为213 mS/mm,最大振荡频率达58 GHz。研究了该器件在2 GHz和10 GHz频率下连续波功率输出特性,发现在15 V低工作电压下即可分别实现1.56 W/mm和1.12 W/mm的输出功率密度,展现出自对准技术在研制高电流和高输出功率金刚石微波器件上的潜力。
关键词
金刚石
自对准技术
高电流密度
微波功率
Keywords
diamond
self‑alignment technique
high current density
microwave power
分类号
TN385 [电子电信—物理电子学]
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
应用于收发链路多模块级联的优化设计方法
2
作者
余秋实
郭润楠
陈昊
庄园
梁云
闫昱君
吴霞
葛逢春
王维波
陶洪琪
机构
南京电子器件研究所固态微波器件与电路全国重点实验室
出处
《电子技术应用》
2024年第5期77-83,共7页
文摘
为解决波束赋形芯片中子电路模块由于寄生效应而导致的级联失配问题提出了一种优化设计方法。该设计方法通过主动引入相邻器件阻抗牵引效应,并使其与级联阻抗失配相抵消从而实现阻抗“预失配”的设计方案。对“预失配”的技术原理以及设计流程进行了简要分析,并通过加工一款采用优化设计方案的4通道X/Ku波段的射频收发芯片,验证了该设计方案的可实现性与有效性。在8 GHz~18 GHz频带范围内,该芯片与基于端口驻波设计体系的原芯片相比,收发链路增益分别为6.5 dB和14 dB,提升了超过2 dB。发射链路输出功率21 dBm,发射效率为15.7%,分别提升了1 dB和9%。接收链路噪声系数为8.72 dB,降低了1.2 dB。收发链路最大移相均方根误差为5.12°和5.25°,分别下降了3.17°和1.75°。
关键词
多模块级联
X/Ku波段
砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
单片微波集成电路
相控阵收发芯片
Keywords
multi-modules cascading
X/Ku-band
GaAs pHEMT
Monolithic Microwave Integrated Circuit(MMIC)
phased array transceiver
分类号
TN454 [电子电信—微电子学与固体电子学]
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职称材料
题名
高耐压氧化镓射频场效应晶体管
3
作者
郁鑫鑫
周建军
李忠辉
陶然
吴云
张凯
孔月婵
陈堂胜
机构
南京
电子器件
研究所
南京
电子器件
研究所
出处
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023年第5期F0003-F0003,共1页
文摘
超宽禁带氧化镓是发展新型大功率电力电子和射频器件的新一代先进战略性电子材料。近年来,得益于单晶衬底制备及n型掺杂技术的进步,氧化镓在电力电子器件领域取得了突破性的进展,然而氧化镓体掺杂沟道较厚,亚微米以下栅长器件短沟道效应严重,频率性能受限。南京电子器件研究所联合南京大学、上海微系统所、天津电子材料研究所,突破了氧化镓上低能离子注入沟道技术,实现了高浓度的类二维电子气超薄导电沟道,研制出高击穿电压的氧化镓射频场效应晶体管[1]。
关键词
场效应晶体管
二维电子气
氧化镓
电力电子器件
短沟道效应
击穿电压
射频器件
宽禁带
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
1 A/mm高电流密度金刚石微波功率器件
谯兵
郁鑫鑫
李忠辉
陶然
周建军
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
2024
0
下载PDF
职称材料
2
应用于收发链路多模块级联的优化设计方法
余秋实
郭润楠
陈昊
庄园
梁云
闫昱君
吴霞
葛逢春
王维波
陶洪琪
《电子技术应用》
2024
0
下载PDF
职称材料
3
高耐压氧化镓射频场效应晶体管
郁鑫鑫
周建军
李忠辉
陶然
吴云
张凯
孔月婵
陈堂胜
《固体电子学研究与进展》
CAS
北大核心
2023
0
下载PDF
职称材料
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