基于CMOS SOI工艺的射频开关设计

采用0.18μm CMOS SOI工艺技术研制加工的单刀双掷射频开关,集成了开关电路、驱动器和静电保护电路。在DC^6GHz频带内,测得插入损耗0.7dB@2GHz、1dB@4GHz、1.5dB@6GHz,隔离度37dB@2GHz、31dB@4GHz、27dB@6GHz,在5GHz以内端口输入输出驻波比≤1.5:1,输入功率1dB压缩点达到33dBm,IP3达到42dBm。可应用于移动通信系统。

ETC.RSU收发前端模块设计

设计并实现了一种用于ETC系统的收发前端模块,提出了一种新型ASK调制电路,较之传统收发模块性能有较大提高。该模块发射路采用数字模拟双重衰减器设计,接收路采用双AGC电路设计,可实现发射的ASK信号调制度30%～100%连续可调,接收动态范围-5～-85dBm,发射功率-4.5～27dBm,步进0.5dB可调,发射频率5 700～5 900MHz,步进1MHz可调。

26GS／s单bit量化降速芯片

基于1μm GaAs HBT工艺设计并实现了一种26GS/s单bit量化降速芯片。芯片采用树形级联架构,集成前端宽带比较器,综合优化各级降速单元拓扑,在功耗、速度各方面达到最优化。测试结果表明,芯片在26GS/s转换速率下,其SFDR大于8dBc,数据带宽达13GHz,显示出其在电子对抗及高速数据处理方面的潜力。

用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。

移动通信用射频多芯片模块

I阜j京电子器件研究所国博电子有限公司研制开发了一款集成了砷化镓增益放大器、数控衰减器乖lJ硅驱动器的可变增益模块，模块总尺寸为5mm×5mm×lmm，其内部结构见图l。从技术角度来看，该MCM体现了集成电路多功能集成、小体积、低成本的发展趋势。首先，它将衰减、放大、驱动器等不旧工艺的多种芯”集成在高密度封装内，减小了产品尺寸，降低了成本。其次，采用MCM封装，通过合理布线，有效地解决了芯片之间电磁干扰的问题。

一个转换时间280 ns的10 bit两级流水线式循环ADC设计

设计了一款用于大分辨率高帧率图像传感器的10 bit列并行ADC。该ADC为两级循环式流水线结构,其中第一级ADC集成了相关双采样放大器功能,用于实现对像素输出电压的去噪和放大。两级ADC还采用了新型的前馈补偿式两级运放来改善动态建立特性并降低功耗。采用90 nm CMOS工艺进行流片制作,单个ADC面积为5μm×1 150μm。测试数据表明,ADC的微分非线性(DNL)为+0.78/-0.65 LSB,积分非线性(INL)为+1.63/-4.12 LSB,功耗为105μW。