基于SM-JTE结构的4H-SiC器件

介绍了高压空间调制结终端扩展(SM-JTE)结构及其优势。结合实际的MOSFET工艺和已有的理论模型,定义了全新的4H-Si C器件TCAD仿真模型参数。首次提出了确定SM-JTE最优长度的方法。基于SM-JTE结构的4H-Si C器件具有优良的击穿特性。SM-JTE结构的长度为230μm时,SM-JTE的击穿电压可以达到16 k V。针对界面电荷对击穿特性的影响进行了系统仿真研究。仿真结果表明,正界面电荷相比负界面电荷对击穿电压的影响更大,且界面态电荷会引起击穿电压明显下降。该SM-JTE结构可以采用更短的结终端,在同样尺寸的芯片上能制作更多的器件,从而提高生产效率,降低器件成本。

4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件

介绍了一种4H-SiC台阶型沟槽MOSFET器件。该结构引入了台阶状沟槽,使用TCAD软件对台阶状沟槽的数量、深度、宽度等参数进行了拉偏仿真,确定了最优台阶结构参数。仿真结果表明,与传统的UMOS器件相比,最优台阶结构参数下的台阶状沟槽MOSFET器件关断状态下的栅氧化层尖峰电场减小了12%,FOM值提升了5.1%。提出了形成台阶的一种可行性方案,并给出了实验结果,SEM结果表明,可以通过侧墙生长加湿法腐蚀的方法形成形貌良好的台阶。