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0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
被引量:
1
1
作者
徐忠超
刘军
+3 位作者
钱峰
陆海燕
程伟
周文勇
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期345-350,380,共7页
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋...
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.
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关键词
在片测试结构
等效电路模型
参数提取
太赫兹
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职称材料
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
被引量:
1
2
作者
陈秋芬
李文钧
+2 位作者
刘军
陆海燕
韩春林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期904-910,共7页
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特...
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。
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关键词
增强型GaN
HEMT
大信号模型
沟道电流模型
栅电荷模型
Verilog-A语言
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职称材料
题名
0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
被引量:
1
1
作者
徐忠超
刘军
钱峰
陆海燕
程伟
周文勇
机构
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室
杭州
电子
科技大学教育部射频
电路
与系统
重点
实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期345-350,380,共7页
基金
国家自然科学基金(61331006)~~
文摘
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.
关键词
在片测试结构
等效电路模型
参数提取
太赫兹
Keywords
on-wafer test structures
equivalent circuit models
parameter extraction
THz
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
被引量:
1
2
作者
陈秋芬
李文钧
刘军
陆海燕
韩春林
机构
杭州
电子
科技大学教育部射频
电路
与系统
重点
实验室
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第12期904-910,共7页
文摘
提出一种改进的增强型GaN HEMT器件建模大信号模型。模型沟道电流方程和电荷方程均连续且高阶可导,栅电荷模型满足电荷守恒原则。提出的沟道电流模型可精确拟合实际器件正、反向区、截止区以及亚阈值区的直流特性。根据GaN HEMT器件特有的物理结构和电学特性,器件的自热效应、电流崩塌效应以及跨导频率分布效应在模型中进行了考虑。模型采用Verilog-A语言进行描述,并编译、链接入Agilent ADS工具。验证结果表明,模型仿真和测试数据在宽的偏压和频率范围内得到很好地吻合。
关键词
增强型GaN
HEMT
大信号模型
沟道电流模型
栅电荷模型
Verilog-A语言
Keywords
GaN enhancement mode(E-mode) HEMT
large-signal model
channel current model
gate charge model
Verilog-A language
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.1~325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
徐忠超
刘军
钱峰
陆海燕
程伟
周文勇
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
下载PDF
职称材料
2
一种改进的增强型GaNHEMT大信号模型
陈秋芬
李文钧
刘军
陆海燕
韩春林
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015
1
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职称材料
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