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题名Ka波段Si基微机械宽带垂直过渡
被引量:2
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作者
戴新峰
郁元卫
贾世星
朱健
於晓峰
丁玉宁
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机构
南京电子器件研究所单片集成电路与模块国家级重点实验室
南京电子器件研究所微纳米研发中心
南京电子器件研究所毫米波电路部
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出处
《微纳电子技术》
CAS
2008年第12期712-715,共4页
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文摘
介绍了一种适用于三维毫米波集成电路的Si基微机械垂直过渡,该垂直过渡是两层0.1mm厚的共面波导传输线通过0.3mm厚中间层,在中间层采用了同轴结构,该同轴结构通过金属化通孔来实现。这一设计原理简单,结构简洁,便于优化设计,具有很宽的带宽和平坦的幅度响应。运用三维电磁场仿真软件对该垂直过渡结构进行了建模,并作了优化设计与仿真计算,运用微机械金属化通孔工艺和多层键合工艺研制了样品。在片测试结果表明该样品性能良好,在26.5~34.0GHz该过渡插入损耗小于3.5dB,带内起伏小于2dB。
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关键词
KA波段
Si基微机械
三维集成电路
宽带垂直过渡
热压键合
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Keywords
Ka-band
silicon micromachined
3-dimentional integrated circuits
wideband vertical transition
thermocompression bonding
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
TH702
[机械工程—精密仪器及机械]
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