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Si上Si1-xGex:C 缓冲层的载流子分布
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作者 夏冬梅 王荣华 +10 位作者 王琦 韩平 梅琴 陈刚 谢自力 修向前 朱顺明 顾书林 施毅 张荣 郑有炓 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第z1期111-114,共4页
用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGe... 用化学气相淀积方法在Si(100)衬底上生长了Ge组分渐变的Si1-xGex:C合金缓冲层.研究表明,较高温度下生长的Si1-xGex:C缓冲层中Ge的平均含量较高,其晶体质量要优于较低温度下生长的外延薄膜.载流子浓度沿衬底至表面方向逐渐上升且Si1-xGex:C缓冲层总体呈p型导电,存在一局域n型导电区,本文对其导电分布特性进行了分析研究. 展开更多
关键词 化学气相淀积 Si1-xGex:C缓冲层 载流子
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