ZnCdTe-ZnTe多量子阱的激子线增宽

本文主要讨论ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱激子线的均匀增宽和非均匀增宽效应。实验所有样品为常压ＭＯＣＶＤ系统在ＧａＡｓ（１００）衬底上生长的含３０个周期的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱材料。做光致发光实验时用配有ＲＣＡ－Ｃ３１０３４型光电倍增管的Ｓｐｅｘ１４０４型双光栅单色仪及Ｂｏｘｃａｒ４４００型平均取样系统来检测。用Ｎ２激光器的３３７．１ｎｍ线作激发光源对Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｃ－ＺｎＴｅ多量子阱做光致发光实验，样品的近带边有两个发光谱峰分别位于５７４．４ｎｍ和５９８．６ｎｍ处。它们分别是激子跃迁和导带电子到受主跃迁的发光峰。为使这类材料的器件达最佳应用状态，室温下的激子共振宽度应尽量地窄。激子共振宽度由非均匀增宽和均匀增宽决定的。低温下激子光谱的半高全宽比导带电子到受主跃迁谱的半高宽小很多，但随温度升高激子线宽增加很快。激子谱线的均匀线宽部分主要是通过激子与ＬＯ声子作用实现的。根据声子占有数方程，随温度升高ＬＯ声子数增加，所以激子散射时间缩短，线宽增加。这种行为已在半导体材料中被充分证明。所以均匀线宽随温度的升高而增加，非均匀线宽部分近似与温度无关。在低温下（大约低于５．０Ｋ）均匀，线宽比非均匀线?

旋转流体斜压波三维温度结构实验研究

实验研究了负径向温度梯度下转坏系统中斜压流体的对流运动，获得了该系统中旋转流体斜压波的一般特征，通过对斜压波温度场多层次细网格测量，得到了斜压波三维温度结构和表面波状急流的温度分布，并就波－波转换的不稳定性问题作了初步分析．

II-VI多量子阱中局域化激子的受激发射

通过对ＺｎｘＣｄ１－ｘＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品的光泵受激发射研究讨论了材料中激子局域态对受激发射激子过程以及受激发射特性的影响。两块不同组份和不同局域态密度的ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱样品受激发射过程都是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程，但在Ｚｎ０．６７Ｃｄ０．３３Ｔｅ－ＺｎＴｅ中发现了激子－激子散射的受激发射过程，而在Ｚｎ０．７８Ｃｄ０．２２Ｔｅ－ＺｎＴｅ中没有发现这一受激发射的激子过程。ｘ＝０．６７的样品中具有较高的局域化激子密度，其受激发射具有较高的阈值。

高激发密度下ZnCdTe-ZnTe多量子阱的受激发射性质

本文报导了ＺｎＣｄＴｅ－ＺｎＴｅ多量子阱的受激发射性质。通过改变激发光强度，并在不同的方向接收样品的光发射，将所得到的样品的光发射谱进行分析得出结论，认为该材料的受激发射过程就是ｎ＝１重空穴激子参与的一系列过程。