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Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究
被引量:
6
1
作者
孟猛
祁强
+6 位作者
丁栋舟
赫崇君
赵书文
万博
陈露
施俊杰
任国浩
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期188-196,共9页
新型闪烁晶体Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce(简写为GAGG:Ce)在制备过程中易出现多晶扭曲生长、组分偏析等问题,严重影响晶体的性能。为了得到大尺寸高质量的GAGG:Ce晶体,采用X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)和X射线激...
新型闪烁晶体Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce(简写为GAGG:Ce)在制备过程中易出现多晶扭曲生长、组分偏析等问题,严重影响晶体的性能。为了得到大尺寸高质量的GAGG:Ce晶体,采用X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)和X射线激发发射谱(XEL)等手段,结合熔体特性分析了GAGG:Ce晶体多晶扭曲生长、组分偏析的形成机制。通过调整温场、抑制组分挥发等方法生长出φ50 mm×120 mm的GAGG:Ce晶体,并重点研究了GAGG:Ce晶体的光谱特性与闪烁性能。结果表明:GAGG:Ce晶体的光输出达58000 ph./MeV,能量分辨率为6.4%@662 keV,在550~800 nm波长区间的透过率约为82%。晶体闪烁衰减快分量为126 ns(83%),慢分量为469 ns(17%)。晶体的发射峰中心波长在550 nm左右,与硅光电倍增管的接收波长匹配,且发光峰值处的透过率EWLT(Emission Weighted Longitudinal Transmittance)值高达79.8%。GAGG:Ce晶体兼具高光输出与高能量分辨率,在中子和伽马射线探测领域具有广阔的应用前景。
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关键词
多晶扭曲生长
温度梯度
组分偏析
衰减时间
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职称材料
题名
Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究
被引量:
6
1
作者
孟猛
祁强
丁栋舟
赫崇君
赵书文
万博
陈露
施俊杰
任国浩
机构
中国科学院上海硅酸盐研究所
南京航空航天大学工业和信息化部重点实验室
南京航空航天大学
航天
学院
上海理工
大学
材料科学与工程学院
中国科学院海西创新研究院
出处
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021年第2期188-196,共9页
基金
国家自然科学基金(61675095)
“中国科学院关键技术人才”项目(Y74YQ3130G)
+1 种基金
中科院上海硅酸盐研究所科技创新重点项目(Y74ZC5152G)
海西研究院自主部署项目(FJCXY18040202)。
文摘
新型闪烁晶体Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce(简写为GAGG:Ce)在制备过程中易出现多晶扭曲生长、组分偏析等问题,严重影响晶体的性能。为了得到大尺寸高质量的GAGG:Ce晶体,采用X射线衍射(XRD)、电感耦合等离子体发射光谱(ICP-OES)和X射线激发发射谱(XEL)等手段,结合熔体特性分析了GAGG:Ce晶体多晶扭曲生长、组分偏析的形成机制。通过调整温场、抑制组分挥发等方法生长出φ50 mm×120 mm的GAGG:Ce晶体,并重点研究了GAGG:Ce晶体的光谱特性与闪烁性能。结果表明:GAGG:Ce晶体的光输出达58000 ph./MeV,能量分辨率为6.4%@662 keV,在550~800 nm波长区间的透过率约为82%。晶体闪烁衰减快分量为126 ns(83%),慢分量为469 ns(17%)。晶体的发射峰中心波长在550 nm左右,与硅光电倍增管的接收波长匹配,且发光峰值处的透过率EWLT(Emission Weighted Longitudinal Transmittance)值高达79.8%。GAGG:Ce晶体兼具高光输出与高能量分辨率,在中子和伽马射线探测领域具有广阔的应用前景。
关键词
多晶扭曲生长
温度梯度
组分偏析
衰减时间
Keywords
polycrystal twisted growth
temperature gradient
component segregation
decay time
分类号
O734 [理学—晶体学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Gd_(3)(Al,Ga)_(5)O_(12):Ce闪烁晶体扭曲生长、组分偏析与性能研究
孟猛
祁强
丁栋舟
赫崇君
赵书文
万博
陈露
施俊杰
任国浩
《无机材料学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2021
6
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职称材料
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引证文献
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