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氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响 被引量:1
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作者 邵静 沈鸿烈 +2 位作者 王学文 高凯 赖斌康 《半导体光电》 CAS 北大核心 2021年第2期240-245,共6页
采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜... 采用射频磁控溅射的方法,用96at%SnO_(2)/4at%Sb_(2)O_(3)陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜。研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析。结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低。在氧含量为10%、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9%升高至85.8%,2000nm处透光率由84.6%下降至23.0%。 展开更多
关键词 磁控溅射 ATO 近红外阻隔 氮气退火 溅射功率 压强
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