用离子注入技术制作的砷化镓霍尔传感器

针对器件低内阻下的高灵敏度这一器件特性上的难题，在砷化镓霍尔传感器设计中采用非对称十字形结构。在制作上采用全离子注入平面化技术，获得了在８００Ω内阻上大于２５ｍＶ／ｍＡ·ＫＧ的高灵敏度。