10 Gbps VCSEL激光器驱动CMOS集成电路

本设计采用国内GSMC130nmSOICMOS工艺设计了一款10Gbps的激光器驱动芯片。电路核心部分由限幅放大级、输出驱动电路、8bitDAC电路、偏置基准电路等组成。其中,为了在130nm工艺下实现10Gbps速率,限幅放大级采用共享电感并联峰化技术实现带宽拓展,同时兼顾了面积与功耗的考量。该芯片整体面积为2.16mm×1.24mm,采用1.2V电源供电,后仿真结果表明,在典型输入差分200mV、10Gbps的激励信号下,可提供2~8.6mA范围可调调制电流和1~3mA范围可调偏置电流。在典型配置下,输出5mA调制电流和2mA偏置电流,总功耗为51.2mW,输出眼图张开且清晰。性能指标可以满足光纤通信系统和快速以太网的应用。