Tl-1223高温超导薄膜在蓝宝石单晶基片上的生长和性能研究

本文报道了采用射频磁控溅射法和快速升温烧结法在R面取向的蓝宝石单晶基片上生长CeO_(2)缓冲层和Tl-1223超导薄膜,研究了缓冲层生长情况和先驱膜后退火条件对超导薄膜结晶情况和超导特性的影响。AFM和XRD表征结果显示,蓝宝石基片经过退火后其表面形成具有光滑平台的台阶结构,同时基片的晶体质量得到了改善;本文所制备的CeO_(2)缓冲层和Tl-1223超导薄膜具有较好的c轴生长取向,而且两者呈现良好的ab面内织构。SEM表征结果显示,生长良好的Tl-1223超导薄膜呈层状结构,表面光滑平整、结构致密。在液氮环境下,测得所制备Tl-1223超导薄膜的临界转变温度Tc约为111 K,临界电流密度Jc(77 K,0 T)约为1.3 MA/cm2。

热处理Hastelloy合金基带对生长NiO薄膜的影响

该研究采用射频磁控溅射方法在经过热处理的Hastelloy合金基带上生长NiO缓冲层,探究了不同退火条件对生长NiO缓冲层的结构和形貌的影响.XRD和AFM测试结果表明,在流氧中退火温度为850℃、退火时间为20min时可在基带表面形成一层连续的NiO薄膜,这能改善基带与缓冲层的晶格匹配,并提高随后同质外延生长NiO缓冲层的质量,使得基带能生长出强度高且呈纯C轴取向的NiO薄膜.该缓冲层能够给高温超导薄膜提供良好的生长环境.