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Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池研究进展(I)
被引量:
4
1
作者
李长健
乔在祥
张力
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期77-80,共4页
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ—Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池。此电池具有如下特点:(1)光电转换效率高。2008年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积CIGS薄...
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ—Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池。此电池具有如下特点:(1)光电转换效率高。2008年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积CIGS薄膜太阳电池光电转换效率已达到19.9%,是当前各类薄膜太阳电池的最高记录。(2)电池稳定性好,使用过程中性能基本无衰降。(3)抗辐照能力强,用作空间电源有很强的竞争力。
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关键词
薄膜太阳电池
美国国家可再生能源实验室
化合物半导体材料
光电转换效率
CIGS
晶体结构
空间电源
黄铜矿
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职称材料
铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题
被引量:
1
2
作者
李微
刘兴江
+3 位作者
赵彦民
闫礼
乔在祥
孙云
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期420-421,共2页
分析了CIGS太阳电池的总应力来自于单层膜中的沉积应力及膜层界面间的相互作用。计算得出Mo薄膜与CIGS薄膜界面晶格失配度最大,表明相对于其他界面,该界面的应力值较大。而作为缓冲层的CdS薄膜有效地改善了吸收层CIGS薄膜与窗口层ZnO薄...
分析了CIGS太阳电池的总应力来自于单层膜中的沉积应力及膜层界面间的相互作用。计算得出Mo薄膜与CIGS薄膜界面晶格失配度最大,表明相对于其他界面,该界面的应力值较大。而作为缓冲层的CdS薄膜有效地改善了吸收层CIGS薄膜与窗口层ZnO薄膜的界面应力。而对于柔性衬底材料的PI薄膜,如何解决因其较大的热膨胀系数造成的热应力,将成为制备高效柔性CIGS薄膜电池的关键技术。
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关键词
CIGS太阳电池
薄膜
应力
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职称材料
题名
Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池研究进展(I)
被引量:
4
1
作者
李长健
乔在祥
张力
机构
南开大学信息技术科学学院光电子研究所
出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第2期77-80,共4页
文摘
Cu(In,Ga)Se2(CIGS)是Ⅰ—Ⅲ-Ⅵ族化合物半导体材料,具有黄铜矿晶体结构,以它为吸收层的太阳电池称为CIGS薄膜太阳电池。此电池具有如下特点:(1)光电转换效率高。2008年美国国家可再生能源实验室(NREL)研制的小面积CIGS薄膜太阳电池光电转换效率已达到19.9%,是当前各类薄膜太阳电池的最高记录。(2)电池稳定性好,使用过程中性能基本无衰降。(3)抗辐照能力强,用作空间电源有很强的竞争力。
关键词
薄膜太阳电池
美国国家可再生能源实验室
化合物半导体材料
光电转换效率
CIGS
晶体结构
空间电源
黄铜矿
分类号
TM914.42 [电气工程—电力电子与电力传动]
TQ221.11 [化学工程—有机化工]
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职称材料
题名
铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题
被引量:
1
2
作者
李微
刘兴江
赵彦民
闫礼
乔在祥
孙云
机构
中国
电子
科技集团公司第十八
研究所
化学与物理电源
技术
重点实验室
天津
大学
材料
科学
与工程
学院
南开大学信息技术科学学院光电子研究所
出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第4期420-421,共2页
文摘
分析了CIGS太阳电池的总应力来自于单层膜中的沉积应力及膜层界面间的相互作用。计算得出Mo薄膜与CIGS薄膜界面晶格失配度最大,表明相对于其他界面,该界面的应力值较大。而作为缓冲层的CdS薄膜有效地改善了吸收层CIGS薄膜与窗口层ZnO薄膜的界面应力。而对于柔性衬底材料的PI薄膜,如何解决因其较大的热膨胀系数造成的热应力,将成为制备高效柔性CIGS薄膜电池的关键技术。
关键词
CIGS太阳电池
薄膜
应力
Keywords
CIGS solar cell
thin film
stress
分类号
TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Cu(In,Ga)Se_2薄膜太阳电池研究进展(I)
李长健
乔在祥
张力
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009
4
下载PDF
职称材料
2
铜铟镓硒薄膜太阳电池的应力问题
李微
刘兴江
赵彦民
闫礼
乔在祥
孙云
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2011
1
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职称材料
已选择
0
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参考文献
引证文献
统计分析
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