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EIS型半导体生化传感器EI界面势的理论模拟 被引量:3
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作者 贾芸芳 牛文成 +2 位作者 张福海 刘国华 俞梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2196-2201,共6页
建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析,最后将EI界面... 建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析,最后将EI界面势模拟结果与ISFET(ion sensitive field effect transistor)的实测结果进行了比较,进一步验证了文中的理论模型. 展开更多
关键词 半导体生化传感器 EI界面势模型 计算机辅助分析
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基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解二氧化碳传感器的研究 被引量:3
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作者 岳钊 牛文成 +2 位作者 谢林宏 权伍明 罗翀 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1203-1206,共4页
应用碳糊成膜方法,设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量,给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明,室温下基于MISFET结构的Pt-Ni... 应用碳糊成膜方法,设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量,给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明,室温下基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜对溶解二氧化碳有很好的敏感性. 展开更多
关键词 溶解二氧化碳传感器 Pt-NiO混合敏感膜 MISFET结构
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一种新型的Pt-NiO混合敏感膜全固态溶解CO_2传感器及其特性测量 被引量:1
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作者 岳钊 牛文成 +2 位作者 谢林宏 权伍明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期912-915,共4页
为了方便的测量溶解二氧化碳(CO2),利用室温下NiO对CO2的敏感特性,基于碳糊成膜方法,研制了一种新型全固态溶解CO2传感器.文章中,分析了传感器的结构和NiO敏感膜对CO2的敏感机理,测量了不同工作点和不同温度下传感器输出电压ΔVrs随着溶... 为了方便的测量溶解二氧化碳(CO2),利用室温下NiO对CO2的敏感特性,基于碳糊成膜方法,研制了一种新型全固态溶解CO2传感器.文章中,分析了传感器的结构和NiO敏感膜对CO2的敏感机理,测量了不同工作点和不同温度下传感器输出电压ΔVrs随着溶解CO2浓度变化的响应特性.实验结果显示,基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解CO2传感器可以在室温下方便的检测溶解CO2浓度. 展开更多
关键词 溶解CO2传感器 Pt-NiO混合敏感膜 MISFET结构
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适合硬件实现的自适应滤波算法 被引量:2
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作者 高清运 李学初 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2003年第7期34-36,共3页
文章给出了一种适合硬件实现的自适应算法———改进的LMS算法。对算法的收敛性进行了详细的证明,并使用C语言验证了该算法与基本LMS算法的收敛速度是相同的。
关键词 自适应滤波算法 硬件 LMS算法 自适应滤波器 功能模块 信号处理
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光寻址电位传感器信号的实时采集与数据管理——基于数据库和TeeChart的实时动态采集、显示和管理 被引量:2
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作者 贾芸芳 牛文成 《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2007年第32期92-94,共3页
光寻址电位传感器(LAPS)是一种基于集成电路制造技术的传感器,在生物化学领域有着广泛的应用前景。使用专用图表控件和数据库技术为LAPS测控系统建立了数据采集与管理系统,实现了LAPS输出信号的实时采集与动态显示,并采用数据库的形式... 光寻址电位传感器(LAPS)是一种基于集成电路制造技术的传感器,在生物化学领域有着广泛的应用前景。使用专用图表控件和数据库技术为LAPS测控系统建立了数据采集与管理系统,实现了LAPS输出信号的实时采集与动态显示,并采用数据库的形式对检测结果进行实时存储和历史查询,有助于进一步推进LAPS系统在应用领域的发展。 展开更多
关键词 光寻址电位传感器 实时数据采集 实时动态显示 数据库管理
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一种新型2.4GHz RF低噪声放大器的设计 被引量:1
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作者 高清运 李学初 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期417-420,共4页
提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有... 提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 失配因子
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低功耗LCOS微型显示器驱动电路的设计
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作者 李颖 许长喜 秦世才 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期113-116,共4页
本文用 adiabatic charge和 energy recovery低功耗技术设计了 LCOS微型显示器的驱动电路 ,并介绍了cadence的仿真结果和版图结构.
关键词 微型显示器 驱动电路 LCOS 低功耗 电路设计 工作原理 版图结构
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一种12-b 125 kSPS全差分CMOS SAR A/D转换器 被引量:2
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作者 赵天挺 隋海建 +2 位作者 曲静然 高清运 秦世才 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2004年第6期694-697,共4页
 设计了一种基于1stSilicon0.25μmCMOS工艺的全集成SARA/D转换器。详细介绍了SARA/D转换器的基本原理、电路结构和仿真结果。该SARA/D转换器采用全差分结构,系统时钟频率为2MHz,精度12位,采样速率125kb/s,输入电压范围0~2.5V。在3.3...  设计了一种基于1stSilicon0.25μmCMOS工艺的全集成SARA/D转换器。详细介绍了SARA/D转换器的基本原理、电路结构和仿真结果。该SARA/D转换器采用全差分结构,系统时钟频率为2MHz,精度12位,采样速率125kb/s,输入电压范围0~2.5V。在3.3V供电电压下,功耗为0.3mW,芯片有效面积为745μm×2000μm。 展开更多
关键词 逐次逼近寄存器 A/D转换器 n阱CMOS 时间自调节比较器
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用于48MHz时钟产生器CMOSPLL
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作者 姜少华 王彬 +3 位作者 陈浩琼 李颖 高清运 秦世才 《南开大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期24-27,共4页
本文报导一个用于48M Hz时钟产生器的锁相环.该PLL采用0.25μm n-well CMOS工艺,在2.5V供电电压下,其静态电流为1.44mA.有效版图面积为600μm·335μm.
关键词 时钟产生器 锁相环 VCO
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