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EIS型半导体生化传感器EI界面势的理论模拟 被引量:3
1
作者 贾芸芳 牛文成 +2 位作者 张福海 刘国华 俞梅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2196-2201,共6页
建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析,最后将EI界面... 建立了较完整的适用于EIS(electrolyte insulator semiconductor)型生化传感器的EI界面势理论模型,在此基础上开发了EI界面的计算机辅助分析程序,对EI界面中双电层电势分布、带电格点密度、EI界面势进行了深入的定量分析,最后将EI界面势模拟结果与ISFET(ion sensitive field effect transistor)的实测结果进行了比较,进一步验证了文中的理论模型. 展开更多
关键词 半导体生化传感器 EI界面势模型 计算机辅助分析
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基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解二氧化碳传感器的研究 被引量:3
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作者 岳钊 牛文成 +2 位作者 谢林宏 权伍明 罗翀 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期1203-1206,共4页
应用碳糊成膜方法,设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量,给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明,室温下基于MISFET结构的Pt-Ni... 应用碳糊成膜方法,设计一种基于MISFET结构Pt-NiO混合敏感膜的新型溶解二氧化碳传感器.文中对器件进行了测量,给出了不同工作点下器件输出电压变化量△Vrs随着溶解二氧化碳浓度变化的响应曲线.实验结果表明,室温下基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜对溶解二氧化碳有很好的敏感性. 展开更多
关键词 溶解二氧化碳传感器 Pt-NiO混合敏感膜 MISFET结构
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双模方形带通滤波器的分析、建模及设计 被引量:2
3
作者 周春霞 夏侯海 +3 位作者 季鲁 何明 方兰 阎少林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第6期1364-1367,共4页
本文报道一种利用谐振器中缺口位置设计双模带通滤波器的新方法.用这种方法既可以实现具有一对传输零点的双模带通滤波器,也可以实现无传输零点的双模带通滤波器.通过分析缺口位置对谐振器内电场模式分布的影响,建立了双模滤波器的拓扑... 本文报道一种利用谐振器中缺口位置设计双模带通滤波器的新方法.用这种方法既可以实现具有一对传输零点的双模带通滤波器,也可以实现无传输零点的双模带通滤波器.通过分析缺口位置对谐振器内电场模式分布的影响,建立了双模滤波器的拓扑结构图.利用全波仿真软件,基于不同的缺口位置设计了中心频率为2.05GHz,带宽为100MHz的两种滤波器.实验测试结果和滤波器理论仿真结果相一致. 展开更多
关键词 带通滤波器 双模谐振器 耦合矩阵
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一种新型的Pt-NiO混合敏感膜全固态溶解CO_2传感器及其特性测量 被引量:1
4
作者 岳钊 牛文成 +2 位作者 谢林宏 权伍明 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期912-915,共4页
为了方便的测量溶解二氧化碳(CO2),利用室温下NiO对CO2的敏感特性,基于碳糊成膜方法,研制了一种新型全固态溶解CO2传感器.文章中,分析了传感器的结构和NiO敏感膜对CO2的敏感机理,测量了不同工作点和不同温度下传感器输出电压ΔVrs随着溶... 为了方便的测量溶解二氧化碳(CO2),利用室温下NiO对CO2的敏感特性,基于碳糊成膜方法,研制了一种新型全固态溶解CO2传感器.文章中,分析了传感器的结构和NiO敏感膜对CO2的敏感机理,测量了不同工作点和不同温度下传感器输出电压ΔVrs随着溶解CO2浓度变化的响应特性.实验结果显示,基于MISFET结构的Pt-NiO混合敏感膜溶解CO2传感器可以在室温下方便的检测溶解CO2浓度. 展开更多
关键词 溶解CO2传感器 Pt-NiO混合敏感膜 MISFET结构
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一种新型2.4GHz RF低噪声放大器的设计 被引量:1
5
作者 高清运 李学初 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第3期417-420,共4页
提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有... 提出了一种新型的低噪声放大器,在输入管的栅极加入一个电容,使放大器的噪声性能与增益都得到明显的改善。该电路基于Chartered 0.18μm CMOS工艺设计,工作频率为2.4GHz。仿真表明,在电流消耗为300μA的条件下,提出的低噪声放大器具有更好的噪声系数与增益,分别比传统的电感源极衰减低噪声放大器改善1.9 dB与5.3 dB。 展开更多
关键词 低噪声放大器 噪声系数 失配因子
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SrTiO_3基片上Tl-2212双晶约瑟夫森结的动态特性及噪声影响研究 被引量:2
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作者 王争 岳宏卫 +5 位作者 周铁戈 赵新杰 何明 谢清连 方兰 阎少林 《物理学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2009年第10期7216-7221,共6页
在SrTiO3(STO)基片上制作了Tl-2212双晶约瑟夫森结,并对其进行了微波辐照下的I-V特性测试,观察到了夏皮罗台阶,符合约瑟夫森电压-频率关系.利用数值仿真对约瑟夫森结建立了RCSJ模型,仿真结果与实验数据符合较好,利用此模型深入研究了噪... 在SrTiO3(STO)基片上制作了Tl-2212双晶约瑟夫森结,并对其进行了微波辐照下的I-V特性测试,观察到了夏皮罗台阶,符合约瑟夫森电压-频率关系.利用数值仿真对约瑟夫森结建立了RCSJ模型,仿真结果与实验数据符合较好,利用此模型深入研究了噪声对结动态特性的影响,解释了噪声影响下结的微波感应台阶幅度减小和极小值展宽现象,提出了有效噪声温度为工作温度和外部噪声的等效温度之和. 展开更多
关键词 RCSJ模型 噪声 Tl-2212双晶约瑟夫森结
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