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可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用
1
作者
刘戈
李凤岩
+2 位作者
刘一鸣
于涛
孙云
《真空》
CAS
北大核心
2008年第4期87-89,共3页
用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次...
用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次是In靶溅射时间,非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测,合金相主要为Cu11In9。
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关键词
铜铟镓硒
溅射
SPIK-2000A
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职称材料
题名
可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用
1
作者
刘戈
李凤岩
刘一鸣
于涛
孙云
机构
南开大学光电子研究所天津市光电子薄膜与器件重点实验室
出处
《真空》
CAS
北大核心
2008年第4期87-89,共3页
基金
天津重大攻关
创新资金(合同号:06FZZD9X1200)
863课题(项目号:2004AA513020)。
文摘
用交替溅射的方法制备铜铟镓硒薄膜太阳能电池预置层。通过可变占空比的电源控制器实现对Cu/Ga合金靶以及In靶溅射时间的控制,进而实现对最后元素配比的控制。实验中发现,在一个溅射周期中,Cu/Ga合金靶溅射时间对最后成分影响最大,其次是In靶溅射时间,非溅射时间的长短对成分也有影响。交替溅射制备的铜铟镓硒预置层经过XRD检测,合金相主要为Cu11In9。
关键词
铜铟镓硒
溅射
SPIK-2000A
Keywords
CIGS
alternating sputtering
SPIK-2000A
分类号
TB43 [一般工业技术]
O614.37 [理学—无机化学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
可变占空比的双脉冲电源在铜铟镓硒预置层制备中的应用
刘戈
李凤岩
刘一鸣
于涛
孙云
《真空》
CAS
北大核心
2008
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