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H处理对a-Si TFT矩阵性能的改善作用 被引量：3
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作者 赵颖 熊绍珍 +6 位作者 孟志国 代永平 周祯华 姚伦 张建军 孙钟林 徐温元 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第1期58-60,共3页
在PECVD系统制备a－SiTFT矩阵工艺中采用氢射频等离子辉光放电产生的H，钝化SiNx表面的硅悬键，从而使a－So：H／SiNx界面态得到减小．由此制备出的a-SiTFT矩阵，其性能得到明显改善．
关键词 开关器件 H处理 半导体器件
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