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温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
1
作者
欧琳
王静
+4 位作者
林兴
赵勇
惠一恒
胡鹏飞
王广才
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期546-552,共7页
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获...
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃。同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象。这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴。
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关键词
INSB
摩尔比
温度
气压
真空镀膜
下载PDF
职称材料
题名
温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
1
作者
欧琳
王静
林兴
赵勇
惠一恒
胡鹏飞
王广才
机构
南开大学南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
南开大学
天津市
光电子
薄膜
器件与
技术
重点实验室
南开大学
薄膜
光电子
技术
教育部工程
研究
中心
南开大学
天津市中欧太阳能光伏发电
技术
联合
研究
中心
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021年第7期546-552,共7页
基金
中央高校基本科研业务费专项资金资助项目(63191204,63181217)。
文摘
锑化铟(InSb)作为Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料广泛应用于红外探测器、霍尔元件等领域。InSb薄膜中Sb/In摩尔比直接影响薄膜的电学、光学等性能。采用真空镀膜方法难以精确控制薄膜中Sb/In摩尔比。采用真空热阻共蒸发的方法制备InSb薄膜,获得不同薄膜温度下InSb薄膜中Sb/In摩尔比与蒸发舟内Sb与In颗粒摩尔比之间的经验公式,真空镀膜的薄膜温度不宜超过200℃。同时,采用高压氮气保护可以有效抑制高温退火后InSb薄膜中Sb的逃逸现象。这为InSb薄膜的真空制备提供了有益的借鉴。
关键词
INSB
摩尔比
温度
气压
真空镀膜
Keywords
InSb
mole ratio
temperature
pressure
vacuum coating
分类号
TN213 [电子电信—物理电子学]
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
温度和气压对InSb薄膜中Sb/In摩尔比的影响
欧琳
王静
林兴
赵勇
惠一恒
胡鹏飞
王广才
《半导体技术》
CAS
北大核心
2021
0
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