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Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展
被引量:
1
1
作者
王醉
马锡英
+3 位作者
宋经纬
陈中平
杨爱国
姚江宏
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期404-409,共6页
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在...
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。
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关键词
半导体纳米晶体
掺杂
光电特性
胶体法
掺杂机制
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职称材料
题名
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展
被引量:
1
1
作者
王醉
马锡英
宋经纬
陈中平
杨爱国
姚江宏
机构
南开大学物理科学与技术学院
绍兴文理
学院
光电材料研究所
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009年第7期404-409,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(60776004)
浙江省新苗计划项目(2008R40G2180006)
文摘
介绍了Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂技术和几种典型的掺杂工艺;综述了掺杂对半导体纳米晶体的光、电特性的影响;列举了近几年掺杂技术取得的研究成果;重点阐述了现阶段利用胶体法进行半导体纳米晶体掺杂的掺杂机理、以及掺杂效率所存在的问题。引进新型掺杂理论——动力学理论,该模型忽略了扩散作用的影响,重点讨论杂质在纳米晶体表面的驻留情况,可以有效解释Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的掺杂机理,提高掺杂浓度。最后,对其未来的发展方向进行了展望,指出开创新型掺杂理论、研发实用化掺杂工艺以及拓展应用领域是未来Ⅱ-Ⅵ族纳米半导体的主要研究方向。
关键词
半导体纳米晶体
掺杂
光电特性
胶体法
掺杂机制
Keywords
semiconductor nanocrystals
doping
optical and electronic characteristics
colloidal method
doping mechanism
分类号
TN383 [电子电信—物理电子学]
TN304.25 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
Ⅱ-Ⅵ族半导体纳米晶体的掺杂研究进展
王醉
马锡英
宋经纬
陈中平
杨爱国
姚江宏
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2009
1
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职称材料
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