纳米Ag/TiO_2涂层托槽对口腔常见细菌的抗菌性能研究

目的:检测纳米Ag/TiO2涂层托槽对口腔常见细菌的抗菌性能。方法:通过扫描电镜检测纳米Ag/TiO2涂层托槽表面微观形态;采用贴膜法研究纳米Ag/TiO2涂层对口腔常见细菌的抗菌性能。结果:本研究合成的纳米Ag/TiO2涂层为具有严整组织结构的纳米颗粒膜;纳米Ag/TiO2涂层对口腔常见细菌20min黑暗环境下抗菌率均达到79%以上。结论:纳米Ag/TiO2涂层托槽对口腔常见细菌有较强的抗菌效果。

RW-splint治疗前后患者颞下颌关节间隙的变化

目的:探讨RW-splint治疗颞下颌关节紊乱病(temporomandibular disorder,TMD)患者后颞下颌关节间隙的改变。方法:选取18例有临床症状的TMD患者,采用RW-splint进行治疗,治疗前、后用锥形束CT(CBCT)对患者双侧颞下颌关节扫描,测量颞下颌关节上、前、后、内、外侧间隙,分析髁突位置变化。结果:RW-splint治疗后患者颞下颌关节上、后、内侧间隙变宽,前、外侧间隙变窄,但以上变化差异均无统计学意义(P>0.05)。结论:RW-splint治疗使髁突发生向前、向下、向外移动趋势,改善髁突位置可能是RW-splint治疗TMD的生物学机制之一。

正畸力作用下大鼠牙周组织中CCR1及其相关配体的表达

目的研究正畸力加力后CC类趋化因子受体1(CCR1)及其相关配体(CCL3、CCL5、CCL7)的mRNA在大鼠牙周组织中的表达变化规律,以探讨CCR1在正畸牙移动的作用。方法将35只8周龄体重(220±25)g雄性SD大鼠随机分为7组,每组5只,空白对照组大鼠不安装实验装置,其余大鼠安装实验装置。安装实验装置大鼠随机选择一侧上颌第一磨牙为实验牙,对侧第一磨牙作为对照牙,采用镍钛拉簧建立大鼠正畸牙移动模型,力值50 g。实验动物分别于加力后0 h、12 h、1 d、3 d、7 d、14 d处死,取大鼠上颌第一磨牙周围牙周组织应用实时荧光定量PCR法进行研究。结果大鼠牙齿加力后,观察到牙周组织内CCR1及其配体的mRNA表达量呈现一定的时间规律:加力后12 h,CCR1、CCL3、CCL5、CCL7的mRNA表达均开始上升,CCR1 mRNA表达在3 d达高峰(F=1.745,P=0.021),CCL3、CCL5 mRNA表达在1 d达高峰(F=19.976,PCCL3=0.019;F=17.114,PCCL5=0.008),CCL7表达差异无统计学意义。CCR1及其配体的mRNA转录水平在加力时7 d均下降至与对照组基本一致。结论正畸力作用下,大鼠牙周组织中CCR1及其相关配体mRNA表达出现一过性变化,呈现短时上调规律,推测CCR1及其相关配体表达与正畸牙移动过程及牙周骨改建可能相关。

阻生第三磨牙竖直装置的设计及临床应用

目的介绍一种竖直并前移近中阻生下颌第三磨牙替代下颌第二磨牙的正畸治疗方法,并评价其疗效。方法本研究为回顾性研究,对13例,共18颗下颌第三磨牙水平阻生导致第二磨牙远中根严重龋坏或吸收的患者,拔除严重龋坏或根吸收的第二磨牙,采用固定矫治器配合下颌第一磨牙与第三磨牙交互牵引装置引导阻生的第三磨牙前移、萌出,直至直立。结果第三磨牙长轴与下颌平面前上交角治疗前36.40°±12.73°,治疗后91.28°±6.02°,变化有统计学意义(P<0.001);第三磨牙长轴与平面后下交角增加54.58°±15.49°,P<0.001。第三磨牙长轴与第一磨牙长轴交角明显减少,治疗前61.64°±13.65°,治疗后6.11°±5.51°,差异有统计学意义(P<0.001)。没有出现明显的根吸收,冠/根比值治疗前1.49(1.30,1.60),治疗后1.44(1.36,1.56),差值-0.12(-0.73,0.05),差异无统计学意义(P=0.728),冠近远中长/全牙长比值治疗前1.31±0.12,治疗后1.29±0.12,差值0.02±0.09,P=0.281。治疗后下颌第二磨牙拔牙间隙关闭,水平阻生第三磨牙直立,萌出达到正常平面,获得良好功能邻接关系及根平行。阻生磨牙直立时间(8.19±1.52)个月(范围5.5~10个月)。矫治完成时间(30.85±5.87)个月(范围20~38个月)。结论拔除由于下颌第三磨牙阻生引起的远中邻面严重龋坏或根吸收的下颌第二磨牙,采用固定矫治器配合下颌第一磨牙与第三磨牙交互牵引装置可有效地前移、直立阻生第三磨牙。