期刊文献+
共找到1篇文章
< 1 >
每页显示 20 50 100
碳化硅材料性能优异,应用迎来发展良机 被引量:2
1
作者 刘宇浩 《中国集成电路》 2023年第5期16-21,共6页
碳化硅作为第三代半导体材料的代表,有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,由其制成的半导体器件在高温、高压、高频大功率的环境下具备良好的性能表现,被广泛应用于汽车、工业与能源、5G建设等领... 碳化硅作为第三代半导体材料的代表,有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,由其制成的半导体器件在高温、高压、高频大功率的环境下具备良好的性能表现,被广泛应用于汽车、工业与能源、5G建设等领域。本文介绍了碳化硅产业链及其应用领域和发展前景。 展开更多
关键词 碳化硅 功率半导体 外延
下载PDF
上一页 1 下一页 到第
使用帮助 返回顶部