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碳化硅材料性能优异,应用迎来发展良机
被引量:
2
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作者
刘宇浩
《中国集成电路》
2023年第5期16-21,共6页
碳化硅作为第三代半导体材料的代表,有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,由其制成的半导体器件在高温、高压、高频大功率的环境下具备良好的性能表现,被广泛应用于汽车、工业与能源、5G建设等领...
碳化硅作为第三代半导体材料的代表,有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,由其制成的半导体器件在高温、高压、高频大功率的环境下具备良好的性能表现,被广泛应用于汽车、工业与能源、5G建设等领域。本文介绍了碳化硅产业链及其应用领域和发展前景。
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关键词
碳化硅
功率半导体
外延
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职称材料
题名
碳化硅材料性能优异,应用迎来发展良机
被引量:
2
1
作者
刘宇浩
机构
南方科技大学深港微电子学院
出处
《中国集成电路》
2023年第5期16-21,共6页
文摘
碳化硅作为第三代半导体材料的代表,有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率高、抗辐射能力强等特点,由其制成的半导体器件在高温、高压、高频大功率的环境下具备良好的性能表现,被广泛应用于汽车、工业与能源、5G建设等领域。本文介绍了碳化硅产业链及其应用领域和发展前景。
关键词
碳化硅
功率半导体
外延
Keywords
Silicon Carbide
Power semiconductor device
epitaxy
分类号
TN304 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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碳化硅材料性能优异,应用迎来发展良机
刘宇浩
《中国集成电路》
2023
2
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