光CVD—SiO_2薄膜的性能及其应用

采用光ＣＶＤ法制备了良好的ＳｉＯ２薄膜，为半导体器件及传感器表面修饰提供了一条新型可行的途径。

多孔硅中两种不同的光致发光谱

采用连续变化的单色光作为激发光源，测量了多孔硅的光致发光（ＰＬ）谱和光致发光激发（ＬＰＥ）谱．结果表明，多孔硅存在两种不同的ＰＬ谱．一种是人们通常观察到的ＰＬ谱，其峰位可随多孔硅量子尺寸的变小以及激发光波长（λｅｘ）的变短而蓝移，我们称其力量子限制型光致发光（ＱＰＬ）谱．另一种是其峰位波长处于蓝紫光范围且峰位基本上不随多孔硅的量子尺寸和λｅｘ而变化的ＰＬ谱，我们称其为非量子限制型光致发光（ＮＱＰＬ）谱．多孔硅还存在与ＰＬ谱相对应的两种不同的ＰＬＥ谱．与ＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱是双峰谱，与ＮＱＰＬ谱对应的ＰＬＥ谱不是双峰谱．因此，多孔硅中同时存在两种不同的发光机理．

机动车自动动态称重计费系统

本文报导了机动车自动动态称重计费系统的功能、硬件组成和软件结构以及采用的关键技术。

B^+注入沾污与Fe^+·B^-离子对的增强扩散效应

显微观测LSI硼注入硅形成的PN结,发现横向结深大于纵向结深,用紫外荧光法检测了B^+注入样品的Fe杂质沾污,研究了Fe^+·B^-离子“对”在SiO_2边缘的横向增强扩散效应.