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题名常温磷化过程中的开路电位-时间曲线以及成膜规律
被引量:4
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作者
蒋利民
杨永生
蒋熙云
邓文波
王汉丹
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机构
南昌航空大学轻合金加工科学与技术国防重点实验室材料科学与工程学院
昆明理工大学材料科学与工程学院
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出处
《材料保护》
CAS
CSCD
北大核心
2011年第6期51-54,2,共4页
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基金
国家自然科学基金(91023047)
航空基金(080356004)
+1 种基金
轻合金加工科学与技术国防重点实验室基金(GF0901009)
江西省教育厅基金(DB0701126)
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文摘
目前,对常温磷化成膜机理及规律的认识十分有限,进而影响了常温磷化膜的开发和应用。通过测量常温磷化过程中磷化液的开路电位-时间曲线分析了成膜规律,采用扫描电镜(SEM)考察了成膜过程中磷化膜的形貌变化,测定了膜层的耐蚀性、孔隙率随成膜时间的变化,通过X射线衍射(XRD)分析了磷化膜的相结构。结果表明:常温磷化成膜过程主要由8个阶段构成,即氧化层或其他腐蚀抑制物的溶解、形核与早期成长、晶核或初生晶粒的再溶解、快速成膜、形成完整单层覆盖层后磷化膜的增厚、再结晶、稳定的H+腐蚀扩散通道的建立、膜的生长与溶解平衡;开路电位随时间的变化很好地反映了常温磷化膜的生长规律,可用开路电位-时间曲线来监控磷化膜生长,也可将其作为筛选添加剂或改进磷化工艺的判据;改进的粘贴K3Fe(CN)6滤纸法可用于磷化膜的孔隙率测定,其测量结果与硫酸铜点滴试验结果一致;磷化膜主要由Zn3(PO4)2.4H2O,Zn2Fe(PO4)2.4H2O,Fe3(PO4)2.4H2O组成。
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关键词
常温磷化
开路电位-时间曲线
成膜过程
形核
机理
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Keywords
room temperature phosphating
open circuit potentialtime curve
film-forming process
necleation
mechanism
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分类号
TG174.4
[金属学及工艺—金属表面处理]
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