一种增强Verilog建模能力的编译预处理器

文章讨论了一种增强Verilog硬件描述语言建模能力的编译预处理器的设计问题。VerilogHDL是专用集成电路设计中应用广泛的一种硬件描述语言,它尚存在一些缺陷。编译预处理器的功能是增强数字系统设计中对模块输入输出端口阵列等参数化设计的能力。在分析IEEEVerilog1364—2001建模特性的基础上,基于LEX和YACC设计出专门的编译预处理器,显著降低了程序规模,可以方便地嵌入其他仿真或综合工具中,增强了VerilogHDL参数化的建模特性。

与GaN晶格匹配的InAlN分子束外延生长及其性能

采用等离子体辅助的分子束外延(MBE)方法制备了InAlN外延薄膜,探讨了InAlN材料In原子数分数和生长条件的关系,以及等效束流强度(BEP)对材料质量的影响。绘制了InAlN关于温度与In和Al BEP的生长相图,经过优化后生长了与GaN晶格匹配的InAlN外延薄膜。使用高分辨率透射电子显微镜、X射线衍射仪、原子力显微镜和阴极荧光光谱(CL)对制备的InAlN材料进行了测试和表征。结果表明,InAlN/GaN异质界面清晰,In_(0.18)Al_(0.82)N外延材料(002)面X射线衍射峰半高宽为263 arcsec,表面粗糙度仅为0.23 nm,CL发光波长为283 nm,弯曲系数为5.2 e V,根据CL图像估算的材料位错密度约为2×108cm-2。