形成前处理对提高铝箔比容的影响

阳极氧化膜是电解电容器的工作介质，其质量的优劣直接影响着铝电解电容器的性能。若在形成前将腐蚀箔在７５℃左右的Ａ溶液（〔Ａ〕≈０．２ｍｏｌ／Ｌ）中浸泡约１０ｍｉｎ，然后在５７０℃左右热处理３ｈ，阳极氧化膜的结构与性能将得到改善，铝箔比容可提高２５％～５０％，而形成电能降低３０％～５０％，从而可有效提高形成效率。

低压铝箔腐蚀的碱洗工艺

对国产高纯Ａｌ箔在电化学腐蚀扩面前进行碱洗是必要的。采用恰当的碱洗工艺，可以提高腐蚀Ａｌ箔的静电比容约１０％。

铝阳极箔化成技术

介绍了铝阳极箔的化成方法及其发展动态，对化成工艺和设备作了简单的分析。认为：用非水体系如γ丁内酯化成液，代替水体系化成液，用铝箔导电与溶液导电组合供电化成来代替单一供电化成法，都会取得降低化成耗电量、降低化成箔漏电流、提高化成箔比容及提高化成效率等效果。

侵蚀电流对中高压电容器铝箔孔密度和电容量的影响

研究了盐酸与硫酸的混酸中直流电侵蚀下，电流密度对电解电容器用高纯铝箔的腐蚀行为的影响。结果表明：铝箔侵蚀电流密度可以决定蚀孔的尺寸和孔密度，改变电流密度，可以使铝箔获得不同的起始发孔密度和电容量。大电流侵蚀形成孔径小但孔密度较大的铝箔蚀孔；小电流侵蚀形成孔径较大但孔密度较小的铝箔蚀孔；同一种铝箔的发孔密度随电流密度的增大而增加。

铝箔腐蚀液中硫酸根离子的测定

在阳离子表面活性剂——十六烷基三甲基溴化铵（ＣＴＭＡＢ）的存在下，用比浊法对铝箔蚀腐液中微量硫酸根离子进行测定。硫酸根离子含量在３．０×１０－４～２．

Fe、Si杂质含量对电解电容器低压阳极铝箔静电容量的影响

Ｆｅ在高纯铝中的存在状态（固溶状态或Ａｌ３Ｆｅ，ＡｌＦｅＳｉ金属间化合物析出状态）直接影响铝在盐酸溶液中的腐蚀速度，从而对腐蚀箔的静电容量有极大影响。介绍了近年来日本专利中关于防止Ｆｅ、Ｓｉ析出的轧箔工艺，即高温固溶处理后在数分钟内完成热轧，使Ｆｅ、Ｓｉ来不及析出，这样，９９．９８％Ａｌ就其Ｆｅ、Ｓｉ析出量而言，实际可达到９９．９９％以上铝的水平。更进一步，控制Ｆｅ、Ｓｉ析出分布状态（弥散状分布）的轧箔工艺，有可能用９９．９３％～９９．９８％铝得到９９．９８％以上纯度铝同样静电容量水平。

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究

总结了阴极铝箔化学腐蚀工艺较电化学腐蚀工艺的优点。就引进的Ｓａｔｍａ化学腐蚀工艺，测定单位表面积的腐蚀失重（ｍｇ／ｃｍ２）与比容关系作为对工艺水平的判据。在原工艺槽液中添加质量分数ｗ为０．５％～２．０％硫酸，使国产箔比容提高２０％～３０％以上。

阴极铝箔化学腐蚀工艺研究──Ⅱ．关于阴极铝箔容量衰减问题

在３０％酒石酸铵溶液中用恒定阳极电流测定阴极箔的计时电压（Ｅ－ｔ）曲线，根据曲线转折电压Ｅ转判断表面氧化膜相对厚度，发现膜厚与电容量有很好对应关系。用ｐＨ＝２磷酸钝化液处理的箔在刚生产出来时表面氧化膜很薄，随时间增厚，容量下降幅度大。改用ｐＨ＝３．４磷酸钝化液，形成的氧化膜较厚，较稳定，容量下降得到改善。对此作了分析探讨。

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅰ．水合氧化膜存在下的阳极氧化膜的形成

铝箔先与热水反应，再进行阳极氧化，可形成结晶复合阳极氧化膜。介绍这种膜的形成机理以及膜的结构。这种膜适用于制造中。

铝的结晶复合阳极氧化膜Ⅱ．热氧化膜存在下阳极氧化膜的形成

在低压铝电解电容器生产中，铝箔常先在高温（４５０℃以上）短时间加热，形成一薄层热氧化膜，再进行阳极氧化，可形成结晶复合氧化膜，使比容增加，形成电量降低。介绍了有关这种膜的形成机理、结构及应用实例。

化成液中的磷酸

在铝电解电容器生产中，磷酸可作为腐蚀液或化成液中的溶质，也可作为水合抑制剂。在实验的基础上，介绍了磷酸在化成液中的作用及影响，建议仅在末级化成液中添加磷酸或其盐类。

高精度恒液位控制电路

图1所示电路是一种高精度恒液位控制电路。这种电路专门使用了摩托罗拉公司的半导体压力传感器大并转换成单端输出,A_4是有滞后作用的反相比较放大器(施密特触发器)。

半导体压力传感器的频率输出变换

半导体压力传感器的频率输出变换南通电极箔厂张台华在许多传感系统中，传感信号是其它模拟电路、控制逻辑电路或微控制器单元（ＭＣＵ）的输入。为使传感器把它与压力有关的电压信号送给微处理器，传统方法ＭＣＵ必须有Ａ／Ｄ转换器，实际上ＭＣＵ也可以测量输入方波或矩...