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溶胶凝胶法制备的MgO粉末通过电子束蒸发形成作为绝缘体保护体应用在PDP领域的MgO薄膜
被引量:
2
1
作者
Ashok Kumar Jitendra Kumar
《电子器件》
CAS
2008年第1期192-196,共5页
MgO优异的发射和保护性能会由于水吸附作用形成Mg(OH)2而变差。为了证明这一点,实验首先采用Sol-gel法合成了纯净的MgO粉末:将硝酸镁六水合物和草酸溶解在乙醇中形成凝胶体,接着将该凝胶体在100℃时烘24h以形成草酸镁,然后升温到...
MgO优异的发射和保护性能会由于水吸附作用形成Mg(OH)2而变差。为了证明这一点,实验首先采用Sol-gel法合成了纯净的MgO粉末:将硝酸镁六水合物和草酸溶解在乙醇中形成凝胶体,接着将该凝胶体在100℃时烘24h以形成草酸镁,然后升温到600℃使之裂解,将其磨碎,再使用240mesh筛分,最后再在1000℃时烧结2h,形成MgO。该法制成的MgO在气压为10^-5mbar的气氛中通过电子束蒸发到玻璃衬底上形成薄膜。以上方法制成的MgO薄膜和在450℃直接退火的MgO薄膜在以下几点做了对比:(a)生长过程和结构;(b)表面形貌;(c)透光度;(d)OH键。以上对比结果表明前者:(i)具有fcc结构,其晶格常数a为4.216±0.005A,(ii)具有在〈100〉和〈110〉之间的择优取向。另外前者还有以下特征:(i)表面形貌呈锥柱状、(ii)可视光范围的高透光度(〉88-92%)、(iii)无OH键。此外,如果MgO薄膜的晶粒取向{100}和{110}之类的中性面,那么其水合作用就可以得到有效的控制。
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关键词
MGO
薄膜
绝缘体保护层
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职称材料
题名
溶胶凝胶法制备的MgO粉末通过电子束蒸发形成作为绝缘体保护体应用在PDP领域的MgO薄膜
被引量:
2
1
作者
Ashok Kumar Jitendra Kumar
机构
印度kanpur工艺技术研究所
出处
《电子器件》
CAS
2008年第1期192-196,共5页
基金
Acknowledgements One of the authors (AK) is thankful to the Council of Scientific and Industrial Research (CSIR), New Delhi, India for providing the research fellowship.
文摘
MgO优异的发射和保护性能会由于水吸附作用形成Mg(OH)2而变差。为了证明这一点,实验首先采用Sol-gel法合成了纯净的MgO粉末:将硝酸镁六水合物和草酸溶解在乙醇中形成凝胶体,接着将该凝胶体在100℃时烘24h以形成草酸镁,然后升温到600℃使之裂解,将其磨碎,再使用240mesh筛分,最后再在1000℃时烧结2h,形成MgO。该法制成的MgO在气压为10^-5mbar的气氛中通过电子束蒸发到玻璃衬底上形成薄膜。以上方法制成的MgO薄膜和在450℃直接退火的MgO薄膜在以下几点做了对比:(a)生长过程和结构;(b)表面形貌;(c)透光度;(d)OH键。以上对比结果表明前者:(i)具有fcc结构,其晶格常数a为4.216±0.005A,(ii)具有在〈100〉和〈110〉之间的择优取向。另外前者还有以下特征:(i)表面形貌呈锥柱状、(ii)可视光范围的高透光度(〉88-92%)、(iii)无OH键。此外,如果MgO薄膜的晶粒取向{100}和{110}之类的中性面,那么其水合作用就可以得到有效的控制。
关键词
MGO
薄膜
绝缘体保护层
Keywords
MgO
Thin film
Dielectric Protective Layer
分类号
TN304.055 [电子电信—物理电子学]
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
溶胶凝胶法制备的MgO粉末通过电子束蒸发形成作为绝缘体保护体应用在PDP领域的MgO薄膜
Ashok Kumar Jitendra Kumar
《电子器件》
CAS
2008
2
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职称材料
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