离子注入后氧化层BOE腐蚀工艺优化

半导体器件制备过程中,Si O2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层,用来避免Si材料本身直接遭受离子轰击而产生缺陷,牺牲氧化层在注入完成之后,氧化层的性质和结构会发生较大变化,在被腐蚀去除过程中,腐蚀速率不确定性较大,本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。

功率MOSFET开关参数对器件功耗的影响

功率半导体器件做为开关使用时,其动态参数对器件的功耗起着决定性的影响。本文通过实验,分析了场效应晶体管MOSFET的Qg参数对器件工作过程中功耗的影响。