磁控溅射法制备晶格大尺寸的ITO薄膜

该文为了制备一种高透过率、高导电、晶格尺寸大的ITO薄膜,探讨制备最佳ITO薄膜的工艺条件,研究了磁控溅射机台的直流功率,射频功率对ITO薄膜的光电性能及形貌的影响。结果表明:当本体真空在7.0×10^-4 Pa条件下,直流功率为200 W,射频功率400 W,氩气流量100 sccm,用600℃快速升降温机台进行熔合3 min,可获得方块电阻为50Ω/□,可见光波段透过率为88.7%,大晶格尺寸且发光均匀的高性能ITO薄膜,为生产发光二极管提供了一条高效的制备流程。