一种使用在锂电池充电管理芯片的低输入失调CMOS运放电路

本文介绍了锂电池充电管理芯片的原理及设计要求,并在此基础上提出了一种简单实用的CMOS运放失调消除技术。该失调消除技术基于反馈自调整原理,在芯片上电复位时,通过反馈步进控制电路来修正运放或比较器的输入失调电压并一次性锁存住,在不增加过多芯片成本的情况下能够有效降低运放或比较器的输入失调。该失调消除技术已使用在数款锂电池充电管理芯片中,芯片在0.5um 2P3M CMOS工艺下设计并流片,并已经量产使用,实际测试表明运放的失调达到0.2m V以下,性能优秀可靠。

一种基于移动电源的电池电量检测方案的实现

本论文以移动电源芯片中的电池电量检测为核心,分析了目前这类芯片中检测电量的方式及其不足之处,并提出了一种性价比较高的检测设计方案,并对方案的优缺点进行阐述分析,并认为是一种设计相对容易,并能很好提高电池电量检测精度的设计方案。

HVNMOS管的工艺参数分析

以测试数据分析了CMOS工艺下影响高压N管HVNMOS耐压值的几个参数。