微弱磁场测量的各向异性磁电阻传感器

该文介绍了一种利用半导体标准工艺制作的Ni Fe薄膜AMR传感器,并着重对电阻变化率关于0磁场对称特性进行了研究。论文详细介绍了利用两次磁控溅射获得传感器的四层结构,并对其进行了在变化磁场下电阻变化率的测量,通过对比未加入barber电极的对照组,由测试结果得出采用了barber电极的传感器成功改善了传感器在微弱磁场下的线性度,使其在-15-15Oe大小的磁场下的R2值为0.9976,使器件具有与集成电路芯片集成的性能。