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题名光伏法研究掺金硅特性
被引量:1
- 1
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作者
朱文章
沈顗华
刘士毅
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机构
厦门集美航海学院物理室
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出处
《电子学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期44-48,共5页
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基金
国家自然科学基金
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文摘
本文采用光伏方法测量掺金硅的少子寿命,掺金浓度为10^(12)~6.62×10^(15)cm^(-3),4个数量级;根据对两类不同电阻率的N型掺金硅少子寿命系统的测量和统计计算,提出了对硅中金性质的看法。统计计算及简并因子和金施主与金受主的相关性,实验和计算结果都表明,高浓度金掺杂可以改变N型高阻硅的导电类型。
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关键词
掺金硅
少子寿命
光伏
深能级
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Keywords
Au-doped silicon,Minority carrier lifetime,Photovoltage.Deep level
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分类号
TN305.3
[电子电信—物理电子学]
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题名高阻硅中深能级与少子寿命的研究
被引量:1
- 2
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作者
朱文章
沈 华
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机构
福建厦门集美航海学院物理室
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出处
《微电子学》
CAS
CSCD
1994年第3期46-51,共6页
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文摘
本文测量了n型高阻硅在9种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化,以及两类不同电阻率的n型高阻硅在7种不同辐照剂量的1MeV高能电子辐照前后少子寿命的变化;测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级;研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。
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关键词
深能级
少子寿命
高阻硅
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Keywords
Deep level,Minority carrier lifetime, Au doping, Electron irradiation, High resistivity silicon
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分类号
TN304.120
[电子电信—物理电子学]
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题名SnO_2/Si的光伏特性
被引量:3
- 3
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作者
沈 华
张万中
朱文章
蔡玉霜
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机构
厦门大学物理系
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出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1995年第2期177-181,共5页
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基金
国家自然科学基金
福建省科学基金
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文摘
采用CVD方法在硅单晶上制备SnO2薄膜,对不同硅衬底及在不同温度下淀积SnO2制得SnO2/Si进行光电压谱的测量,得出最佳的制备温度;采用类金属半导体接触模型,推导出有关计算公式,计算得出其介面复合速度和异质结势垒宽度等参数。
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关键词
半导体材料
薄膜
二氧化硅
硅
CVD
光伏特性
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Keywords
Semiconductor Materials,Thin Film Growth,Photovoltaic Effects,Heterojunction
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分类号
TN304.12
[电子电信—物理电子学]
TN304.055
[电子电信—物理电子学]
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