以MEMS技术实现射频单芯片

射频(RF)系统芯片(SoC)一直是业界追求的理想器件,目的是为了让无线通信产品轻薄短小。本文将简介如何利用MEMS工艺来改善元件特性,以证明RF MEMS对于射频SoC不只可行而且更是势在必行。

802.11i打造无线网络安全机制

近两、三年来,由于无线局域网络(Wireless Local Area Network,WLAN)的快速发展,也使得网络安全的议题备受重视。因此,过去这两年多以来IEEE Task Group I(TGi)一直不断地尝试建构较新、且具备高安全性的网络传输标准,即所谓的健全安全网络。这项新的网络安全机制能够有效地抵御目前所知道的攻击(Attack)方式,且能加强无线局域网络的安全性。

系统单芯片之外的另一种选择——SOP

当今主流半导体有些技术上的限制,系统单芯片的设计并不适用于所有的系统,为了要达到高度集成的目的,同时保持系统应有的效能及可接受的成本,System-on-Package(SOP)被提出来,成为系统单芯片之外的另一种选择。本文将简介SOP的背景、技术,且分析SOP与其它集成技术的异同,及其发展概况。

可用于802.11a/b/g的多频带低噪声放大器设计

本文将介绍一个利用0.35微米SiGe BiCMOS制造工艺所设计出来的多频带低噪声放大器。这个多频带低噪声放大器可操作的频段包括2.4、4.9、5.2及5.7GHz,主要可应用在无线局域网络射频芯片。最后测量出来的结果显示,当第一级晶体管的集极电流偏压在3.8mA时,从2.4GHz到2.5GHz,S11皆小于-27.6dB,而当第一级晶体管的集极电流偏压在比较小的3mA时,从5.1GHz到5.4GHz皆小于-27dB。从5.1GHz到5.4GHz S11则小于-34dB,且从5.7到5.9GHz都小于-21dB。从实验结果我们可清楚地看出,这个低噪声放大器靠着电流大小的改变,就可以让共振频率从某一个频率跳到另一个频率,达到多频带操作的功能。