台积电新制程被阿尔特拉采用

台积电预计明年将导入量产的3D架构多晶片技术CoWoS,目前已获得可编程逻辑器件（FPGA）大厂阿尔特拉（Altera）采用,双方将整合晶圆制造及封装测试等技术,共同开发出全球首颗整合多元晶片技术的三维集成电路（Heterogeneous3DIC）测试晶片。

台积电期望成为集成电路设计业者最可信赖的伙伴

随着“中国集成电路设计产业发展十周年高层论坛暨中国半导体行业协会集成电路设计分会’2004年会”的临近,本刊特意走访了此次年会的七家协办单位的高层。他们或专门撰稿,或接受采访,表达对我国集成电路产业的关怀。现将来稿及访谈记录编辑成篇。

台积电计划在大陆设12寸厂

台积电将扩大在大陆布局，首度将筹设12寸晶圆厂列入规划选项。据设备行业预估，台积电最快2016年赴大陆设立12寸晶圆厂，将以28nm工艺切人，初期斥资数百亿元，总投资额将达千亿元。

台积电斥资8500万美元买下高通龙潭厂

台积电日前公告与高通达成协议，斥资8500万美元（约新台币26亿元）买下高通龙潭厂，未来将作为台积电跨足高阶封测的生产据点。

台积电南京12英寸晶圆厂2018年投产

台积电近日宣布,已向投审会递件申请赴大陆设立12英寸晶圆厂与设计服务中心,设立地点为江苏省南京市,此座晶圆厂规划的月产能为2万片12英寸晶圆,预计2018年下半年开始16nm工艺生产。同时,台积电也决定在当地设立设计服务中心,以建立台积电在大陆的生态系统。上述投资计划将于投审会核准后执行。

应用于一体化芯片晶圆级集成的铜孔表面平坦化工艺设计与实现

混合键合技术是感存算一体化芯片晶圆级集成的核心工艺,铜制程化学机械研磨平坦化技术工艺能否在较短的研磨时间取得较高的平整度控制、较小的蝶形和侵蚀缺陷决定了混合键合工艺水平及生产效率;传统铜制程化学机械研磨采用两步研磨法,第一步用铜研磨来磨掉晶圆表面的大部分铜;第二步用较低的研磨速率精磨与阻挡层接触的铜,并通过终点侦测技术使研磨停在介质层上,极易形成碟形和侵蚀缺陷,这将导致表面的不平整,影响晶圆集成的互联有效性及键合效果。本文提出三步研磨工艺,通过优化工艺方法、设定研磨液流量研磨压力等关键工艺参数等措施,将金属铜的蝶形缺陷深度减小至10 nm以下,均匀度小于2%,最终实现被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、极小的铜通孔度凹陷度(纳米级),低表面粗糙度和低缺陷的要求,同时也保证一定的工艺成本控制,为定制化混合键合技术提供保障。

SiGe半导体在微电子技术发展中的重要作用

从Si-BJT和Si-FET集成电路在提高频率、速度上的困难,到SiGe-HBT和SiGe-FET及其集成电路的优异特性,论述了SiGe半导体在Si基微电子技术发展中的重要作用;特别强调了应变增强载流子迁移率—应变工程技术的重要作用。介绍了SiGe器件及其集成电路的发展概况。

拉普拉斯边缘检测算法的改进及其在探地雷达中的应用

边缘检测是提取图像特征的重要手段,已在许多领域得到广泛应用。传统拉普拉斯边缘检测算子不具有Sobel和Prewitt等边缘检测算子的图像平滑功能,对噪声的响应敏感,会误将噪声作为边缘。文中通过求解二阶梯度的拉普拉斯变换,得到了拉普拉斯边缘检测算子,探讨了将传统拉普拉斯边缘检测与二维高斯函数结合,通过一维卷积完成改进拉普拉斯边缘检测的优化算法;同时,在已建立的QT-CUDA并行平台上开发完成了改进拉普拉斯边缘检测模块,并集成到探地雷达精细解释软件系统。对实测探地雷达数据进行处理的结果表明:该算法不仅运行效率高,而且在突出有效异常、提高探地雷达目标体的识别能力方面取得实效。

大数据环境下的信息处理

在现代社会发展的过程中,各种数据不断产生,数据的容量及本身的结构也发生了巨大的变化,这些数据对计算机信息处理技术提出了新的要求,这些要求的提出使现有的计算机信息处理技术面临了巨大的挑战,同时也迎来了新的发展机遇。本文对大数据时代背景下的计算机信息处理技术进行了简单的阐述。

利用Paceket Tracer软件实现跨VLAN数据间通信

本文简要地介绍了虚拟局域网(VLAN)的概念和技术以及思科网院提供的Paceket Tracer模拟软件,较为详细地介绍了如何利用Paceket Tracer实现交换机跨VLAN实现数据通信的配置方法与步骤,给三层交换机接口配置IP地址,采用SVI(交换虚拟接口)的方式实现VLAN间互连。

“赴汤蹈火”式管理

管理是这样的，我觉得有几个阶层，最高的层次是“建立好的制度”，建立好的制度后就算以后换了人，这个制度还是存在。因为管理是好多层次的管理．像台积电作业员之上有领班，上面还有剐经理、经理、厂长一大堆。第二个就是“找好的人”，你有了制度，你就要好的人，找对的人放在对的位置上。第三个层次才是一个经理人有头脑“处理单一问题的能力”。

绝缘衬底上的硅技术SOI发展与应用分析

SOI技术作为一种全介质隔离技术,有着许多体硅器件不可比拟的优势,如低功耗(泄漏电流小)、速度快(寄生电容小)、抗干扰强、集成密度高(隔离面积小)等特点。经过几十年的发展,SOI材料的制备技术,直接键合和智能剥离技术成为现阶段的主流技术。SOI元器件的特征尺寸,由1μm跨越到12 nm,得到广泛应用,涵盖射频、汽车电子、电源管理等领域。虽然由于历史原因以及SOI技术本身的一些限制,导致SOI技术没有完全超越传统体硅技术。分析SOI技术的发展历史、材料制备、技术应用、面临的挑战及未来趋势。

高压液化气体管束式集装箱基本安全要求的几点考虑

随着我国电子信息产业的迅猛发展,硅烷、三氟化氮、氧化亚氮等电子气体也得到了快速发展和应用。但是,由于硅烷等介质属于易燃、易爆,且还会发生相变爆炸的危险,给社会公共安全带来不可忽视的威胁。因此,针对充装上述三种介质的管束式集装箱,分别对管束式集装箱的材料选择、设计参数的选取、装卸管路系统、阀门接头型式和安全泄放装置的设置要求等方面展开相关研究工作,为我国制定相关标准和专项技术要求提供理论与实践依据。

剖析中国芯片设计公司的机遇与挑战

智能手机、平板电脑、PC等移动设备和物联网设备的庞大市场需求,背后是集成电路设计和制造企业的无限机遇,同时机遇后,对高性能、低功耗、小体积等的严苛需求,带来的是对支撑它的IC设计制造工艺和封装技术等的一系列挑战。本文内容整理自CICE展会同期"IC制造与设计服务论坛"的主题演讲。

不间断电源电池的维护

数据中心、银行系统、重要工厂等都需要较多的不间断电源(UPS),任何UPS出现故障,或者在市电异常时任何UPS不能正常供电,都会造成不可估量的损失。UPS的重要性导致了它的保养的重要性。UPS电池是整个UPS平均无故障时间最短的一种配件,所以,电池的优劣及电池的保养就显得十分重要。本文在分析12V免维护铅酸电池原理的基础上,针对此电池的保养技术进行总结。

中国能不能诞生“索尼”与“三星”式的企业?

集成电路产业发展到如今已有50年之久。但这一产业仍然显得生机勃勃。迈入21世纪后，集成电路在无线通讯、网络、消费性电子、计算机等领域的应用更是日新月异，以集成电路需求量最大的手机与PC市场为倒，新兴市场手机需求所占的全球份额已超过60％，在PC方面亦接近50％。而这一趋势在今后会越来越明显。全球约有63亿人口，高端市场占8亿人，新兴市场占15亿人，发展中市场占40亿人。不同市场里电子产品的需求特性、价格有所区别，对性价比及功能的要求也大为不同，这些均给集成电路的下一步成长带来了机会。

公允价值理论在新会计准则中的运用

财政部于2月15日出台《新会计准则》。新会计准则对计量属性做出了重大调整。不再强调历史成本为基础计量属性。全面引入公允价值、现值等计量属性。本文就新会计准则中公允价值的引入做了详细探讨。

企业需要什么样的人才——兼谈当前学校人才培养中存在的问题

企业每年新招聘的人员中,有很大一部分来自大中专院校毕业生,他们的专业水平、职业能力如何?能否快速适应企业的岗位要求和文化环境?同时,企业对现今高校、中专、职校等人才培养机构输送的人才满意度如何?对当前人才培养的现状及未来走向有何看法?这一系列问题不仅是企业人力资源主管所关心的,更为广大教育工作者所关注.