基于分子动力学的He-Ne激光陀螺铟封铝-铟界面研究

谐振腔铟封接处漏气导致放电条件改变是氦氖激光陀螺失效的直接原因之一。针对阴极铝-铟封接界面,基于分子动力学方法,采用MEAM原子作用势,依据工艺温度与压力条件,模拟铝-铟界面原子扩散的物理过程,结果显示界面层原子以一定速率进行相互扩散,形成金属间化合物,直至扩散达到平衡;以5.0×1010应变率沿垂直界面方向对模型进行拉伸加载,得到了铝-铟界面模型在拉伸方向的应力-应变曲线,结果表明界面屈服强度低于相同尺寸的单晶铝和单晶铟,屈服应变介于铝、铟两种材料之间。相比于现有的研究成果,旨在为进一步优化谐振腔电极铟封工艺提供理论依据。

溅射功率对硅基哈氏合金薄膜性能的影响

以硅片为基体,采用直流磁控溅射镀膜方法,制备了不同厚度的耐腐蚀的哈氏合金薄膜。采用SEM、XPS、显微硬度等方法,研究了室温条件下,不同溅射功率的哈氏合金薄膜的表面形貌、化学组成、膜厚以及硬度等性能,分析结果表明:低功率沉积的薄膜由纳米级均匀的球形颗粒构成,表面均匀平整,随着溅射功率的升高,晶粒尺度逐渐长大,表面应力随之增大;薄膜中大部分元素都以金属态存在;提高溅射功率,发现薄膜的硬度呈先升后降趋势。磁控溅射法制备的薄膜仍具有哈氏合金原有的特性。