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非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型 被引量:2
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作者 陈军宁 柯导明 +1 位作者 周国强 侯整风 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期173-181,共9页
用数值方法与解析方法相结合,导出了非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于SPICE程序中的MOST模型,但是所有参数都用数值方法处理过,因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电... 用数值方法与解析方法相结合,导出了非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于SPICE程序中的MOST模型,但是所有参数都用数值方法处理过,因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电路分析程序。 展开更多
关键词 非均匀掺杂衬底 硅晶体管 阈值电压 解析模型
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