高温CMOS数字集成电路的瞬态特性分析

本文分析了高温CMOS倒相器和门电路的瞬态特性,建立了它们的上升时间,下降时间和延迟时间的计算公式。根据本文分析的结果,高温CMOS倒相器和门电路瞬态特性变差的原因是由于MOST阈值电压和载流子迁移率降低,以及MOST漏端pn结反向泄漏电流增大的缘故。本文给出的计算结果能较好地解释实验现象。