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改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真(英文) 被引量:1
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作者 丁媛媛 司玉娟 郎六琪 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第5期795-799,共5页
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,... p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。 展开更多
关键词 移位寄存器 P沟道技术 多晶硅薄膜晶体管 有源OLED HSPICE仿真
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