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改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真(英文)
被引量:
1
1
作者
丁媛媛
司玉娟
郎六琪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期795-799,共5页
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,...
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。
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关键词
移位寄存器
P沟道技术
多晶硅薄膜晶体管
有源OLED
HSPICE仿真
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职称材料
题名
改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真(英文)
被引量:
1
1
作者
丁媛媛
司玉娟
郎六琪
机构
吉林大学
通信
工程
学院
吉林大学珠海学院电子工程系
吉林大学
珠海
学院
计算机科学与技术
系
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008年第5期795-799,共5页
基金
the Jilin Science and Technology Development Foundation of China(20050515)
the Science and Technology Development Plan of Zhuhai(PC20051011,PC20061009)
the National Natural Science Foundation of China(60476024)~~
文摘
p-type技术能够简化低温多晶硅TFT的制作过程。基于这个原因,本文提出了一种改进的利用p-type多晶硅TFT构成的移位寄存器结构,它可以作为AMOLED或者AMLCD外围驱动电路的一部分被集成到显示屏的衬底上。改进的移位寄存器由6个时钟控制,每个单元包含6个p-type多晶硅TFT。本文利用HSPICE进行仿真,验证了电路功能的正确性。利用韩方在多晶硅制作方面的优势,已经利用以上技术完成了96×3×128的AMOLED显示屏的制作。
关键词
移位寄存器
P沟道技术
多晶硅薄膜晶体管
有源OLED
HSPICE仿真
Keywords
shift register
p-type technology
poly-Si TFT
AMOLED
HSPICE simulation
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
改进的用于AMOLED的移位寄存器的设计与仿真(英文)
丁媛媛
司玉娟
郎六琪
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2008
1
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