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半导体超辐射发光管自发发射因子的估算
被引量:
2
1
作者
赵永生
宋俊峰
+3 位作者
韩伟华
李雪梅
杜国同
高鼎三
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期452-456,共5页
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因...
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱,而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论,提出了平均自发发射因子的概念,并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
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关键词
自发发射因子
超辐射发光管
增益
折射率
半导体
原文传递
题名
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算
被引量:
2
1
作者
赵永生
宋俊峰
韩伟华
李雪梅
杜国同
高鼎三
机构
吉林大学电子工程系及集成光电子学国家重点联合实验室
出处
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999年第4期452-456,共5页
基金
国家自然科学基金
文摘
自发发射因子β是半导体光电器件的重要参数,在以往对超辐射发光管的特性分析,特别是应用速率方程对超辐射器件的光强进行估算时,多沿用与超辐射发光器件相应结构激光器的β因子,由于两者的光输出特性不同,这种沿用不仅会造成β因子物理意义上的混乱,而且也给超辐射器件光电特性的分析带来了较大的误差。对超辐射发光管的自发发射因子β进行了讨论,提出了平均自发发射因子的概念,并对增益导引及折射率导引的β因子进行了估算和比较。
关键词
自发发射因子
超辐射发光管
增益
折射率
半导体
Keywords
superluminescent diodes, spontaneous emission factor, gain guide structures, index guide structures.
分类号
TN360.1 [电子电信—物理电子学]
原文传递
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体超辐射发光管自发发射因子的估算
赵永生
宋俊峰
韩伟华
李雪梅
杜国同
高鼎三
《光学学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
1999
2
原文传递
已选择
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参考文献
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