准分子激光选择CVD技术的SnO_2薄膜图形生长及微透镜制作

准分子激光ＣＶＤ由于紫外光参与并促进了其源分解，所以对激光光束具有很强的选择性从而可以实现图形转换和直接图形生长，我们利用这一特点在自己建立的准分子激光选择ＣＶＤ系统上得到了ＳｎＯ２薄膜生长速率与激光能量密度间的关系曲线，并玻璃和Ｓｉ衬底上实现了ＳｎＯ２薄膜的宽约８０μｍ条伏和面积１００×１００μｍ２方形图形生长，同时也在Ｓｉ衬底进行了微透镜制作的尝试，获得了半径约４５μｍ近高斯分布的ＳｎＯ２，薄膜，其中心最大厚度约９７０ｍｍ。

用准分子激光CVD制作SnO_2微透镜及其阵列的技术研究

本文利用准分子激光ＣＶＤ技术以液态ＳｎＣｌ４和氧气为源制出了半径４５μｍ的ＳｎＯ２薄膜微透镜及微透镜阵列。并从反应机制和生长规律出发对这一生长技术特点和前景进行了阐述。

高功率GaAs/GaAlAs单量子阱远结激光器及退化

通过对研制的50余只808nm的GaAs/GaAlAs大功率单量子阱远结半导体激光器的老化实验观测,在老化初期(前520h),阈值电流随老化时间的延长而下降,下降幅度高达57mA,通过大于1000h的恒流电老化,器件的输出光功率在老化初期有所上升,随后表现出按指数规律缓慢下降的行为。实验结果表明器件具有长寿命的潜力。

电导数测试用于大功率半导体激光器的快速筛选

对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实验结果表明电导数测试是大功率半导体激光器快速筛选的新方法。