溶胶-凝胶法制备V_2O_5为基体的薄膜材料及其应用

综述了以V2 O5为基体的薄膜材料的制备方法、结构及其特性 ,介绍了该材料在湿度传感器、电压开关和锂电池等领域的应用。

SnO_2 纳米晶的溶胶-凝胶法制备及气敏性质

采用溶胶 -凝胶法制备出 Sn O2 纳米晶材料 .经 X光衍射和透射电镜研究表明 ,该材料具有金红石结构 ,晶粒为球形 ,粒径约 4nm.气敏特性研究表明 。

溶胶-凝胶法制备V_2O_5薄膜的气敏特性研究

本文研究了用无机溶胶凝胶法制备的 V2 O5 薄膜的 XRD结果及其气敏特性 .凝胶在 40 0℃下烧结 12 h后完全形成了 V2 O5 晶体 .掺 3wt% Pd+1wt% Au的 V2 O5 薄膜在较大范围内对乙醇具有较高的灵敏度 .加热电压为 5 .5 V时灵敏度达到最大值 .该气敏薄膜具有较好的选择性 ,NH3、H2 、CO、CH3COCH3等气体不干扰元件的测量 .元件的响应时间为15 s,恢复时间为 5 s.

V_2O_5薄膜的电学性质及其应用

综述了V_2O_5薄膜材料的结构、电学性质及其在电学中的应用。

复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏特性研究

本文研究了复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏特性。复合钒钼酸凝胶薄膜的湿敏性能较复合钒酸好 ,而且其电阻随相对湿度的增加而减小 ,添加正硅酸乙酯 (TEOS)对其湿滞有明显的改进作用 ,含 5 wt% TEOS的薄膜的湿滞回差最小。同时器件的响应恢复较快。

纳米晶SnO_2气敏薄膜的制备与表征

以 Sn( OH) 4 水合胶体为原料 ,采用溶胶 -凝胶方法在 Si片上制备了 Sn O2 纳米晶薄膜 ,利用差热、热重、X光衍射以及原子力显微镜对薄膜的合成以及特性进行了分析 ,结果表明 :在60 0℃条件下烧结结晶的纳米晶薄膜表面平整 ,具有金红石结构 ,平均粒度在 1 0 nm左右 .以该薄膜为敏感体采用平面工艺制成的 FET式气敏元件在常温下对乙醇蒸汽具有非常好的选择性 .

溶胶-凝胶法制备复合钒钼酸铵干凝胶薄膜及其湿敏特性研究

通过溶胶－凝胶法制备了复合钒钼酸铵Ｈ２－ｘ（ＮＨ４）ｘＶ１０ Ｍｏ２Ｏ３１＋δ＋·ｎＨ２０（ｘ＝０，１，２）干凝胶薄膜，对其进行ＴＸＲＤ和ＸＰＳ分析，同时研究了其温敏性能。

溶胶-凝胶法制备复合钒钼酸干凝胶薄膜及表征

利用无机溶胶 -凝胶法制备复合钒钼酸 H2 V12 - x Mox O31± y· n H2 O(0≤ x≤ 3 )干凝胶薄膜 ,并对其进行 TGA,XRD,XPS,X射线能谱及线扫描组分分析 . x=0和 x =2 .5的H2 V12 O30 .7· 8.4H2 O和 H2 V9.5Mo2 .5O32 .0 · 9.2 H2 O干凝胶薄膜均具有层状结构 ,复合钒钼酸凝胶中的 V和 Mo分别以 V5+和 Mo6 +形式存在 ,且均匀地分布 .

半导体激光器的电噪声

通过测量激光器的电噪声 ,可以用来在线监测器件的诸多特性 ,如阈值电流的大小 ,是否有模式跳变发生 ,以及谱线宽窄等。另外 ,根据电噪声的大小 ,还可以对器件的质量和可靠性作出评价 ,具有快速、方便、无损等优点。文章概述了半导体激光器的电噪声 ,对其主要应用进行了综合和讨论 。

纳米晶复合氧化物湿敏元件的特性研究

利用纳米复合氧化物Ba0.5Sr0.5TiO3材料制作了电阻型湿度敏感元件,对元件进行湿敏特性测试后表明:该元件的阻抗-湿度特性良好,电阻范围适中,湿滞小,不需加热清洗.同时研究了其直流充电-放电特性和交流复阻抗特性,分析了敏感机理.

808nm高功率半导体激光器的低频电噪声及其与器件质量的相关性

在不同条件下测试了808nm高功率单量子阱半导体激光器的低频电噪声和器件的电导数（Id/dI-I）特性。讨论了噪声和器件质量的相关性，结果表明，808nm高功率半导体激光器的低频电噪声主要为1／f噪声，且与器件质量有着较好的相关性。

非应变盖层对应变结构中净应力的影响

分析了应变外延层中非应变盖层厚度和在应变层上下界面的失配位错数目差对净应力的影响 ,对现有的单结点和双结点位错模型的净应力的表达式进行了修正 ,得到一个能将单、双结点模型统一起来且对任意盖层厚度都适用的表达式 .