MOCVD法氧化锌单晶薄膜生长

介绍了氧化锌材料的一些突出特性以及生长氧化锌的方法。并通过金属有机化学气相沉积 (MOCVD)方法制备了优良的氧化锌薄膜。使用X射线衍射 (XRD)谱和室温光致发光(PL)光谱对所生长氧化锌薄膜的晶体质量和光学特性进行了研究。X射线衍射谱图显示仅在2θ =34.72°处有一个很陡峭的ZnO (0 0 2 )晶面衍射峰 ,说明所制备的氧化锌薄膜c轴取向高度一致。此衍射峰的半高宽为 0 .2 82° ,显示出较好的晶体质量。在室温光致发光谱中 ,薄膜的紫外发光强度与深能级复合发光的强度比超过 10∶1。

高功率半导体激光器的m值与器件质量的相关性

用电导数技术测量了高功率半导体激光器及阵列激光器的m值,讨论了影响m值大小的因素及与器件质量的相关性。结果表明,m值是器件质量和可靠性的重要标志之一,对于同种器件,质量好的器件的m值一定在某范围之内。对取值范围进行了讨论。

有机无机杂化型共面波导行波电极电光调制器

针对有机无机杂化的电光材料设计了单模加载条形的波导结构,模拟了这种结构中光场的分布,制作了直波导,测得其传输损耗为2.0 dB/cm;采用这种加载条形的波导结构设计了马赫-曾德尔干涉型(MZI)电光调制器,通过对MZI结构互作用区的优化选择,互作用区两波导间距为30μm,长度为15000μm;通过分析共面波导型行波电极的中心电极宽度及中心电极与地电极间距对特性阻抗、重叠积分因子以及半波电压的影响,得出中心电极宽度9μm,中心电极与地电极间距5μm时,器件半波电压最低,为8.4 V。器件制作完成后对其进行测试得出了线性调制曲线,并测得半波电压为9.0 V,与理论值基本符合。