期刊文献+
共找到178篇文章
< 1 2 9 >
每页显示 20 50 100
适于测量波长1.3μm的超短光脉冲的强度自相关系统 被引量:2
1
作者 贾刚 孙伟 +1 位作者 衣茂斌 高鼎三 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1990年第3期42-46,共5页
本文介绍了一种适于测量半导体激光器产生的波长1.3μm的超短光脉冲的强度自相关系统的原理和装置。对波长1.3μm的InGaAsP/InP激光器产生的超短光脉冲的测量结果表明,该装置具有很高的分辨率和较高的灵敏度。
关键词 半导体激光器 超短光脉冲 测量装置
下载PDF
In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的热力学分析 被引量:1
2
作者 徐宝琨 李钟华 +1 位作者 宋利珠 赵慕愚 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第4期301-308,共8页
本文采用独立组元法对In-Ga合金源汽相外延生长In_xGa_(1-x)As体系的平衡状态作了热力学计算和分析,所得结果对认识该体系外延生长的规律性及改进工艺条件有一定参考价值.
关键词 热力学计算 气相外延 铟镓砷
下载PDF
一个集成光波导器件计算机辅助分析系统及其应用 被引量:2
3
作者 陈维友 刘式墉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期465-469,共5页
本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──IOCAD,该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术,具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点,只要分析参数适当,IOCAD具有... 本文介绍一个集成光波导器件计算机辅助分析与设计系统──IOCAD,该软件采用标量单向束传播方法及快速傅立叶交换技术,具有波导结构输入简单、菜单提示全面、使用方便、功能强、速度快等特点,只要分析参数适当,IOCAD具有足够精度.IOCAD可对满足BPM适用条件的多种折射率分布的任何结构的波导器件进行模拟分析.本文同时给出几个模拟实例. 展开更多
关键词 光波导器件 IOCAD 束传播法 光波导
下载PDF
适于单片光电子集成的中止解理技术
4
作者 刘明大 吴辉 李淑文 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期244-247,共4页
本文对中止解理技术进行了较详细的讨论;并给出了实现中止解理技术的几种较理想的腐蚀液及其刻蚀速率曲线。
关键词 单片 光电子集成 中止解理 刻蚀
下载PDF
半导体光电子学的进展
5
作者 石家纬 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期105-108,113,共5页
综述了第八届集成光学和光纤通信国际会议(IOOC’91)与第十七届欧洲通信会议(ECOC'91)上报道的有关半导体光电子学进展情况。
关键词 半导体 光电子 集成光学
下载PDF
零偏压光激发瞬态电流谱及电子空穴陷阱的判断
6
作者 史智盛 阎大卫 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1989年第4期386-388,共3页
光激发瞬态电流谱(OTCS或PITS)已被广泛用于半绝缘半导体材料中的深能级研究,但仍存在一些待解决的问题。本文分析了Martin等提出的陷阱类型判断方法中可能存在的不确定性,提出用零偏压光激发瞬态电流谱(ZBOTCS)中峰的正、负来判断陷阱... 光激发瞬态电流谱(OTCS或PITS)已被广泛用于半绝缘半导体材料中的深能级研究,但仍存在一些待解决的问题。本文分析了Martin等提出的陷阱类型判断方法中可能存在的不确定性,提出用零偏压光激发瞬态电流谱(ZBOTCS)中峰的正、负来判断陷阱的类型,并对正峰和负峰的成因进行了讨论。实验中所用的样品是GaAs:Cr,电极为烧结(?)电极或半透金膜,光源为He-Ne激光器或经单色仪获得的单色光,信号由Boxcar采样收集。 展开更多
关键词 零偏压 光激发 电流谱 陷阱
下载PDF
Sn^(4+)掺杂对TiO_2纳米颗粒膜光催化降解苯酚活性的影响 被引量:33
7
作者 曹亚安 沈东方 +6 位作者 张昕彤 孟庆巨 马颖 吴志芸 白玉白 李铁津 姚建年 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1910-1912,共3页
We prepared TiO 2(anatase) and Sn doped TiO 2 nanoparticlate film by Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method. XRD and XPS experiments showed that Sn was doped into the lattice of TiO 2 with a ratio of ... We prepared TiO 2(anatase) and Sn doped TiO 2 nanoparticlate film by Plasma enhanced Chemical Vapor Deposition(PECVD) method. XRD and XPS experiments showed that Sn was doped into the lattice of TiO 2 with a ratio of n (Sn)∶ n (Ti)=1∶10 . Sn doping largely enhanced the photocatalytic activity of TiO 2 film for phenol degradation. The enhancement in photoactivity by doping was discussed, based on the characterization with AFM, FTIR and EFISPS. Sn doping produced localized level of Sn 4+ in the band gap of TiO 2, about 0.4 eV below the conduction band, which could capture photogenerated electrons and reduce O 2 adsorbed on the surface of TiO 2 film, thus accelerated the photocatalytic reaction. 展开更多
关键词 PECVD TiO2纳米颗粒膜 掺杂 光催化 降解 苯酚 催化活性 二氧化钛 催化剂
下载PDF
8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究 被引量:12
8
作者 彭俊彪 孙润光 +1 位作者 马於光 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第3期263-266,共4页
8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪,孙润光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)马於光,刘式墉(吉林大学电子科学系,长春130023)自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Elect... 8-羟基喹啉稀土螯合物有机薄膜电致发光研究彭俊彪,孙润光(中国科学院长春物理研究所,长春130021)马於光,刘式墉(吉林大学电子科学系,长春130023)自1989年C.W.Tang的高性能有机电致发光(Electro-luminescence,即... 展开更多
关键词 8-羟基喹啉 螯合物 电致发光
下载PDF
柠檬酸盐法合成钙钛矿型复合氧化物纳米固体材料LaFeO_3 被引量:6
9
作者 李熙 赵慕愚 +1 位作者 王子忱 徐宝琨 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第11期1542-1544,共3页
纳米固体材料(或称毫微晶材料)是近几年发展起来的新兴材料,这是由尺寸为纳米数量级(通常粒径<10~15 nm)的微晶颗粒聚集而成的块状或者薄膜人工固体,其原子排列状态既不同于传统的晶态、非晶态,又不同于尺寸为纳米数量级的超微粒,... 纳米固体材料(或称毫微晶材料)是近几年发展起来的新兴材料,这是由尺寸为纳米数量级(通常粒径<10~15 nm)的微晶颗粒聚集而成的块状或者薄膜人工固体,其原子排列状态既不同于传统的晶态、非晶态,又不同于尺寸为纳米数量级的超微粒,其结构特点使该材料具有与传统材料极不相同的特殊性能,已引起世界各国科学家的高度重视。 展开更多
关键词 铁酸镧 纳米晶体 合成 柠檬酸盐法
下载PDF
增益开关半导体激光器产生高重复率的ps光脉冲 被引量:6
10
作者 孙伟 衣茂斌 +1 位作者 王艳辉 刘宗顺 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第9期575-577,共3页
本文报道用增益开关1.3μm InGaAsP半导体激光器产生 ps光脉冲,光脉冲宽度(FW·HM)随频率在 16—23 ps之间变化,重复频率在 1—5 GHz范围连续可调.
关键词 半导体激光器 皮秒光脉冲 增益开关
下载PDF
1.3微米波长InGaAsP激光器产生的亚微微秒光脉冲的干涉自相关测量 被引量:5
11
作者 贾刚 孙伟 +1 位作者 衣茂斌 高鼎三 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第9期674-679,共6页
建立了用步进电机扫描的干涉自相关仪。测量了用1.3微米波长InGaAsP激光器产生的0.45ps的光脉冲。根据干涉自相关函数判定该脉冲是没有调制偏移的双曲正割型光脉冲。
关键词 半导体激光器 超短光脉冲 相关测量
下载PDF
LP-MOCVD生长InGaAs/InP应变量子阱的研究 被引量:3
12
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《光子学报》 EI CAS CSCD 1994年第4期313-318,共6页
本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm... 本文研究了LP-MOCVD对不同x值的In1-xGaxAs/InP生长条件,并且生长了压缩应变为0.5%三个不同阱宽的InGaAs/InP量子阱结构,利用77KPL光谱分析了能级同阱宽的关系,实现最窄阱宽为4.4nm,最小全半高峰宽为17.0mev。 展开更多
关键词 应变 量子阱 化学汽相沉积 砷铟镓
下载PDF
稀土钙钛矿型乙醇敏感材料的特性 被引量:5
13
作者 阎卫平 孙良彦 +1 位作者 刘明登 李万成 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第2期52-56,共5页
本文用共沉淀法制备出LnMO_3(Ln=La,Sm,Nd;M=Fe,Co,Ni)系列材料,分析了材料的结构,并制成相应的元件,对乙醇、汽油等气体进行了检测。结果表明,掺入不同的稀土元素将影响Fe—O问的相互作用;在与还原性气体接触时,表面吸附氧起着十分重... 本文用共沉淀法制备出LnMO_3(Ln=La,Sm,Nd;M=Fe,Co,Ni)系列材料,分析了材料的结构,并制成相应的元件,对乙醇、汽油等气体进行了检测。结果表明,掺入不同的稀土元素将影响Fe—O问的相互作用;在与还原性气体接触时,表面吸附氧起着十分重要的作用。 展开更多
关键词 稀土元素 钙钛矿型 气敏元件 乙醇
下载PDF
长碳链季铵类卟啉钴配合物的合成及其LB膜和气敏性质 被引量:4
14
作者 文珂 李朝辉 +3 位作者 曹锡章 顾长志 张彤 孙良彦 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1993年第2期147-149,共3页
四-(4-N,N-二甲基氨基苯基)卟啉(TDMAPP)与溴代正十六烷反应得到溴化四-(4-N,N,N-二甲基,十六烷基氨基苯基)卟啉(TDMHAPPBr),并制得其钴的配合物,两者均具有良好的成膜性。电子吸收光谱表明LB膜与成膜前固体物分子排列规整性不同。钴配... 四-(4-N,N-二甲基氨基苯基)卟啉(TDMAPP)与溴代正十六烷反应得到溴化四-(4-N,N,N-二甲基,十六烷基氨基苯基)卟啉(TDMHAPPBr),并制得其钴的配合物,两者均具有良好的成膜性。电子吸收光谱表明LB膜与成膜前固体物分子排列规整性不同。钴配合物对氨气有较好的敏感性和良好的选择性,其响应和恢复时间都较短。 展开更多
关键词 卟啉 LB膜 气敏性 溴化四-(4-N N N-二甲基 十六烷基氨基苯)卟啉 钴配合物 合成
下载PDF
PIN光电二极管电路模型的研究 被引量:6
15
作者 陈维友 刘宝林 刘式墉 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第11期95-97,共3页
本文给出一个完整的PIN光电二极管(PD)电路模型。该模型适于在开发OEIC电路模拟软件中采用.它可用于直流、交流、瞬态分析.该模型的有效性通过与已报道的实验结果进行比较得到证实。
关键词 PIN 光电二极管 电路模型 计算机 CAA
下载PDF
LP-MOCVD生长温度对InGaAs性能的影响 被引量:3
16
作者 刘宝林 杨树人 +2 位作者 陈佰军 王本忠 刘式墉 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第4期387-390,共4页
众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/In... 众所周知,InGaAs在InP和GaAs二个系列材料中具有最大的载流子迁移率和最大的饱和速率,InGaAs/GaAs应变量子阱可以把GaAs的发射波长从0.83μm延伸到1.1μm,而InGaAs/InP量子阱激光器又可以实现1.1~1.8μm内任意波长发射,并且,InGaAs/InP探测器的响应波长范围为0.93μm~1.65μm,因此,它不论对高速电子器件如HBT和HEMT,还是光电子器件如激光器(LD)和探测器(PIN和APD)都具有极重要的意义。虽然利用液相外延巳生长出高质量的InGaAs/InP材料,但是, 展开更多
关键词 化学汽相沉积 砷钼镓 温度
下载PDF
用1.3μm半导体激光器直接调制产生2.1GHz超短光脉冲 被引量:3
17
作者 贾刚 孙伟 +1 位作者 衣茂斌 高鼎三 《红外研究》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1990年第5期389-392,共4页
报道了直接调制InGaAsP半导体激光器获得重复率为2.1GHz、脉宽为25~60ps的超短光脉冲。
关键词 半导体 激光器 超短光 脉冲
下载PDF
晶闸管的关断过程及关断时间公式的修正 被引量:5
18
作者 赵善麒 高鼎三 +1 位作者 潘福泉 韩杰 《吉林大学自然科学学报》 CAS CSCD 1991年第1期45-50,共6页
本文进一步闸明了晶闸管关断的物理过程,根据莫尔理论和电荷控制模型推导出一个包含晶闸管两个共基极直流电流放大系数的新的关断时间表达式。该公式充分体现了器件的导通过程与关断过程之间的联系,并用实验对公式进行了验证。
关键词 晶闸管 关断过程 关断时间
下载PDF
激光二极管动态调制分析模型及其应用 被引量:8
19
作者 陈维友 刘式墉 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第7期416-422,共7页
本文给出一个新的适于电路分析的激光二极管(LD)动态调制分析模型.讨论了增益压缩因子及调制电流幅度对LD开关时间及弛张振荡的影响.发现对于给定的ε,有一最佳调制电流幅度,使得LD开关时间最小,弛张振荡幅度很小.对一含有缓冲放大级的... 本文给出一个新的适于电路分析的激光二极管(LD)动态调制分析模型.讨论了增益压缩因子及调制电流幅度对LD开关时间及弛张振荡的影响.发现对于给定的ε,有一最佳调制电流幅度,使得LD开关时间最小,弛张振荡幅度很小.对一含有缓冲放大级的光电集成光发射机的开关特性进行了计算机辅助分析,讨论了调制信号幅度及LD,驱动电路的开关特性对OEIC开关性能的影响. 展开更多
关键词 激光二极管 动态调制 模型 调制
下载PDF
InP/InGaAsP条形半导体激光器中的瞬态温度特性理论计算 被引量:7
20
作者 张晓波 高鼎三 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期362-367,共6页
本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比... 本文首次通过建立二维热传导模型,给出了条形InP/InGaAsP四元系半导体激光器中的瞬态热特性的理论计算结果,它包括了在几种条件下,激光器管芯内温度的空间分布随阶跃电注入的时间变化关系.计算结果表明四元系条形激光器体内温度升高比三元系GaAs/GaAlAs激光器的温升低,有关原因在文中给予讨论. 展开更多
关键词 半导体 激光器 INGAASP 温度特性
下载PDF
上一页 1 2 9 下一页 到第
使用帮助 返回顶部