硅基二氧化硅厚膜材料的快速生长

采用火焰水解法在Si片上快速淀积SiO2 厚膜材料 ,材料膜厚达到 4 0 μm以上 ,生长速率达8μm/min .然后将该材料分别在真空中 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜材料 ,包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜材料 .并利用XRD、电子显微镜等仪器对SiO2膜的表面和膜厚进行了测试分析 .

波导材料二氧化硅厚膜的快速生长

采用火焰水解法 (FHD)在Si片 (4 .5cm )上快速淀积疏松多孔的SiO2 厚膜材料 ,淀积速率达 8μm/min。然后将该材料分别在真空 /空气气氛中高温致密化处理 ,获得了各种形态的二氧化硅厚膜。其中包括平整度好、光滑透明的玻璃态SiO2 厚膜 ,该膜厚度达到 4 0 μm以上 ,完全适合制作平面光波导器件。最后 ,利用XRD、SEM、光学显微镜等仪器对SiO2 膜的表面和膜厚进行了测试分析 ,并讨论了影响致密化SiO2

硅基平面波导材料的制作

采用火焰水解法 (FHD)在Si基上淀积SiO2 预制材料 ,然后在真空中 空气气氛中高温处理 (1 380℃ ) ,制得玻璃化的SiO2 膜材料 ;该材料膜厚适中 (1 0 30 μm)、平整度好、光滑透明 ,适合制作单模、多模列阵平面波导光栅。并利用XRD、SEM、台阶仪等仪器对SiO2 膜进行了测试分析。