新型可溶性酞菁的合成和光致发光及电致发光性质

以3(4)-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料,经过两步反应合成了α(β)-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过谱学方法和元素分析表征了其结构.比较研究其溶液和旋涂膜的紫外可见光谱、光致发光光谱和固体薄片的光致发光光谱.并以其旋涂膜为发光层制备了电致发光器件,研究其电致发光性质.结果表明,固态酞菁材料与其溶液的荧光发射波长相比均向长波方向移动了145nm以上,而且都有不同程度的宽展.在固态下β-位取代酞菁荧光发射波长红移的程度比α-位取代酞菁大.电致发光光谱的发射波长和其旋涂膜的光致发光光谱的发射波长基本一致,大约在856和862nm左右.在固态下酞菁分子排列紧密,分子间相互作用增强导致了荧光发射波长的巨大红移.

溶剂热法直接合成酞菁铜晶体

以喹啉为溶剂,在反应釜中将1,3-二异吲哚、钼酸铵和二水乙酸铜在喹啉中反应,降至室温后得到长10.5mm针状的酞菁铜单晶,最佳的反应条件:以10mL喹啉为溶剂,于270℃反应8h,产率为51.3%.

自持金刚石厚膜上沉积N掺杂ZnO薄膜的生长及电学特性

采用金属有机化合物气相沉积(MOCVD)两步生长法在自持化学气相沉积(CVD)金刚石厚膜的成核面上制备ZnO薄膜,并研究了薄膜的生长特性和电学特性.结果表明,在基片温度为600℃时沉积得到的ZnO薄膜表面均匀,取向较一致,为c轴取向生长.其载流子迁移率为3.79 cm2/(V.s).

甲氧基苯氧基取代1：3和3：1不对称酞菁锌的合成及光谱性质

以4-硝基邻苯二腈和对甲氧基苯酚为原料合成了4-甲氧基苯氧基邻苯二腈,在醋酸锌存在条件下,再将4-甲氧基苯氧基邻苯二腈和邻苯二腈按1∶9和9∶1比例混合,反应后分别得到了β-一(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌和β-三(4-甲氧基苯氧基)酞菁锌,通过IR光谱,紫外-可见光谱和质谱表征了其结构,并讨论了取代基数目对酞菁Q带最大吸收波长的影响,结果表明,取代基数目增多,其Q带最大吸收波长红移。

自持金刚石厚膜上沉积ZnO薄膜的研究

ZnO/金刚石结构的表面声学波滤波器的性能主要取决于沉积ZnO薄膜的质量.本文用金属有机化合物气相沉积两步生长法在自持化学气相沉积金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并用X射线衍射谱,扫描电子显微镜和室温光荧光谱对薄膜质量进行了表征.结果表明得到的ZnO薄膜取向一致,表面较均匀,光学质量良好.

新型八取代酞菁谱学性质研究

对1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁基酞菁铜、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代丁酸甲酯基酞菁锰、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁铜、1,4,8,11,15,18,22,25-八氧代正丁酸甲酯基酞菁锌这四种新型八取代酞菁的红外光谱、紫外光谱和荧光光谱的性质进行了研究与比较。这四种酞菁在红外光谱中没有规律可循;在紫外光谱中这四种酞菁的特征吸收带的大小顺序为:酞菁铜(1)>酞菁锌(4)>于酞菁铜(3)>于酞菁锰(2);在荧光光谱中酞菁铜(1)>酞菁锰(2)>酞菁铜(3)>酞菁锌(4)荧光光谱发射光谱峰。原因主要是和配体的不同和中心配位为金属原子不同引起的。

新型酞菁的光致发光性质研究

研究了2,3-四-(2-异丙基-5-甲基苯氧基)氢酞菁在10,77,177和300K下石英衬底上的浇铸膜和单晶硅衬底上真空镀膜(约200nm厚)在300K下光致发光光谱。氢酞菁的浇铸膜光致发光光谱在上述温度下均出现荧光发射和磷光发射峰,在177和300K下出现了1 673nm激基缔合物峰。该峰的出现与分子抗聚集能力的强弱有关,在300K激基缔合物峰比在177K下的峰强,从氢酞菁分子结构特点讨论了形成激基缔合物的原因。随着温度的升高,可以观察到荧光发射峰渐渐减弱而激基缔合物峰变强。由于浇铸膜和真空镀膜的酞菁分子聚集态不同导致了斯托克司位移的差异,真空镀膜的发光峰峰值在1140nm左右,与酞菁浇铸膜的峰值差别较大。浇铸膜的发光峰的半高宽为300nm,而真空镀膜发光峰的半高宽为100nm左右。

新型不对称酞菁的电致发光性质研究

制作了以3种新型不对称酞菁铜为发光层的电致发光器件并研究了其电致发光性质。3种新型不对称酞菁铜为2(3)-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(1),2(3),9(10),16(17)三--(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(2)和2(3),16(17)-二-(对叔丁基苯氧基)酞菁铜(3)。其中以(1)和(3)为发光层的器件结构ITO/NPB(40 nm)/Phthalocynine(Pc)(30 nm)/AlQ(43.8 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。其中以(2)为发光层的器件结构为:ITO/NPB(30 nm)/Pc(30 nm)/BCP(20 nm)/AlQ(30 nm)/LiF(0.5 nm)/Al(120 nm)。以(1),(2)和(3)为发光层与Q带相关联的发射波长分别出现在869和1 062 nm;1 050和1110 nm;和1 095和1 204 nm。上述发射波长的不同是因为取代基的数目和真空镀膜的分子聚集态不同造成的,所以3种不对称酞菁铜的发射峰值和半峰宽差别较大,而且由此也引起斯托克司位移的不同。

α(β)-四-(4-甲氧基苯氧基)酞菁的合成、表征和光谱性质

以3-(4-甲氧基苯氧基)邻苯二腈和4-(4-甲氧基苯氧基)邻苯二腈为起始原料分别合成了α-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁和β-四(4-甲氧基苯氧基)酞菁,通过红外光谱和紫外可见光谱表征了其结构,并讨论了取代基引入的位置对酞菁紫外可见光谱和荧光光谱的影响。