利用微锥膜改善反射式液晶显示器件的视角

提出了一种可以改善反射式彩色液晶显示视角的微锥结构膜。模拟计算结果表明，当光从微锥的底部人射时，该膜起到准直作用，当光从微锥的顶部入射时，该膜起到散射作用。利用微锥膜可显著改善反射式干涉滤光膜的视角依赖性。由于微锥膜的作用不依赖了液晶盒结构，所以，可对多种结构的反射式彩色液晶显示有效。

TFT液晶显示屏驱动方法的研究

详细分析了当前TFT-LCD驱动电路所使用的场反转、行反转和列/点反转驱动方法,说明了每种方法的优。

液晶显示技术的最新进展

液晶显示以其突出的优势成为平板显示领域的主导技术 ,在 2 0世纪末的几年间迅速发展 ,以朝阳产业的势态跨入了 2 1世纪。为使 LCD产品具有更优异的性能 ,进入更多的应用领域 ,近十年来 ,相关技术的研究开发工作一直十分活跃 ,本文概要介绍了近两年围绕产品性能的提高和部分新技术的应用所进行的研究和开发工作取得的进展。

VGA TFT LCD的驱动电路设计

介绍了VGA TFT LCD驱动电路的设计思想、 所使用的行反转驱动方法及其优点、 数据驱动器的工作原理和灰度级实现方法以及扫描驱动器的工作原理。 详细地分析和计算了公共电极驱动Vcom调节方法， 并有效地解决了由于TFT寄生电容引起的电压跳变而导致的图像闪烁问题。

用Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜及结构分析

以金属钨为催化热丝,采用热丝催化化学气相沉积,在300℃的玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜。研究了H2稀释率、钨丝与衬底间的距离和反应室气体压力等沉积参数对制备多晶硅薄膜的影响,并通过XRD谱分析,确定了本实验系统的最佳多晶硅成膜条件:FR(SiH4)=5mL/min,FR(H2)=70mL/min,P=50Pa,L衬底与钨丝=7.5cm,T=30min,t衬底=300℃,特征峰在(111)面上。在接触式膜厚仪测量的基础上,计算出薄膜生长速率为0.6nm/s。对最佳成膜条件下制备的多晶硅薄膜进行刻蚀,形成不同的厚度,以便进行逐层分析。采用XRD和SEM方法对不同厚度的薄膜测试发现,随着薄膜厚度的减小,(111)面的XRD特征峰强度逐渐下降,(111)面上的晶粒尺寸基本没有变化,都是50nm左右。根据测试结果分析了薄膜的生长机制,提出了薄膜生长是分步成核,成核后沿(111)面纵向生长的观点。认为反应基元首先随机吸附在衬底上,在H原子的作用下在一些位置上成核,而在其他位置形成非晶相。已形成的晶核逐渐长大并沿(111)面纵向生长;已形成的非晶相也在生长,但上面不断有晶核形成。当薄膜达到一定厚度,非晶相表面完全被晶核占据,整个薄膜表面成为多晶相,此后整个薄膜处于沿(111)面的纵向生长阶段,直至反应结束,完整的晶粒结构呈柱状。

TFT液晶电视控制电路的设计

根据TFTLCD的显示特性 ,利用KS0 1 2 7视频译码器和AL2 5 1视频扫描同步倍频器及单片机 ,设计了转换和控制电路 ,用LCD取代传统的CTR ,实现数字色调驱动系统和电视的显示功能 ,并设计出 2 6 4cm( 1 0 .4in)VGATFT液晶电视的控制卡。叙述了硬件电路设计和软件控制方法以及利用单片机实现I2

Cat-CVD方法制备多晶硅薄膜的孕育层控制

采用催化化学气相沉积法(Cat-CVD)制备多晶硅(p-Si)薄膜的初期会形成一层比较厚的非晶硅(a-Si)孕育层。这层孕育层作为p-Si的前驱生长物,给p-Si的晶化提供晶核,同时这层薄膜又存在较多的缺陷,严重影响了p-Si器件的性能。文章采用p-Si的间断生长,对预先沉积的a-Si孕育层进行数分钟的氢原子刻蚀,目的是刻蚀掉有严重缺陷的Si—Si键,保留与晶体硅匹配的Si—Si键,促进晶核形成,抑制孕育层的再生长。经XRD和SEM测试发现,间断p-Si的生长,经若干分钟的H原子处理后多晶硅很快就形成,结晶取向在(111)面上最强,晶粒尺寸平均为80nm。而传统方法连续生长20min的硅薄膜经XRD测试未出现多晶硅特征峰。结果表明,用Cat-CVD制备p-Si薄膜,间断生长过程,用氢原子处理预先沉积的一层a-Si孕育层,可以抑制孕育层的生长,提高了p-Si薄膜的晶化速率。

TFT—LCD:国际上新的经济增长点

介绍了国际上ＴＦＴ－ＬＣＤ产业的最新发展，ＴＦＴ－ＬＣＤ技术的进步。长期困扰液晶的三大难题：视角、色饱和度和亮度，已经获得解决。液晶产业进入了全面高速发展时期，文章并分析了国际上ＴＦＴ－ＬＣＤ市场的发展趋势。

表面无小丘Al双层栅电极结构研究

利用ＤＳＣ方法研究了纯铝薄膜中的小丘现象，同时制备了Ａｌ双层栅电极Ｔａ／Ａｌ、Ｃｒ／Ａｌ和Ｍｏ／Ａｌ薄膜，并在不同温度下进行了退火处理，研究了双层结构中上层金属（Ｔａ、Ｃｒ和Ｍｏ）厚度对Ａｌ薄膜中小丘的抑制作用。实验结果表明，上层Ｔａ膜厚度在８０～９０ｎｍ左右（在本实验条件下）时，可得到表面无小丘的Ｔａ／Ａｌ薄膜栅材料。实验制备的表面无小丘 Ｔａ／Ａｌ、 Ｃｒ／Ａｌ和 Ｍｏ／Ａｌ等栅电极材料的电阻率均在 ７～２０μΩ·ｃｍ之间，基本满足现今对角线为 ２５～５１ｃｍ（１０～２０ｉｎ）大屏幕、高清晰度ＴＦＴ ＬＣＤ要求。

背光源结构分析及几种提高亮度的途径

分析了国内外几代典型的冷阴极荧光灯背光源的结构以及能量损耗情况。提出了改变灯管材料、降低管壁厚度、变更填充物和灯管结构等以提高发光强度;改变导光板构造以减少导光损失,提高均匀度;增加偏光分离板以提高光效等几种提高背光源亮度的有效途径。