蒸发淀积Al和Teflon AF薄膜间的相互作用

通过 Ｘ－射线光电子光谱（ＸＰＳ），研究了蒸发淀积 Ａｌ与 Ｔｅｆｌｏｎ ＡＦ薄膜间的相互作用高分辨率 Ａ１２ｐ； Ｏ１ｓ； Ｃ１ｓ和 Ｆｌｓ ＸＰＳ光谱分析表明在 Ａｌ和 Ｔｅｆｌｏｎ ＡＦ界面处有 Ａｌ的氟化物（ＡｌｘＦｙ）以及 Ｃ－Ｏ－Ａｌ有机化合物的形成．考虑到蒸发淀积 Ａｌ前后， ＣＦ３基团降低和 ＣＦ２基团增加，可以认为 ＡｌｘＦｙ中氟的来源主要是由于 ＣＦ３基团中一个 Ｃ－Ｆ键断裂而失去的氟原子，同时产生的 ＣＦ２游离基和其它游离基间结合，导致界面处 ＣＦ２基团增加．