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题名“半导体激光器”专题前言
被引量:2
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作者
黄永箴
郭霞
宋清海
张青
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机构
中科院半导体研究所学术委员会
中青科协
中国物理学会女物理工作者委员会
北京市青联
哈尔滨工业大学(深圳)理学院
哈尔滨工业大学(深圳)微纳光电信息系统与理论工信部重点实验室
北京大学工学院
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出处
《中国激光》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第7期1-2,共2页
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文摘
自1962年第一只半导体激光器成功问世以来,这种尺寸仅为毫米量级的芯片已经广泛应用于光纤通信、激光存储、激光制造、激光成像、激光打印、激光武器等现代科学技术的各个方向,成为现代工业的变革性力量,是各国高科技领域竞争的制高点,是“新型基础设施建设”中的核心。在国家多个科技计划支持下,我国科研人员先后实现了波长覆盖600~1550 nm的GaAs和InP半导体激光器产业化,且随着宽禁带GaN材料外延技术的不断进步,又先后实现了蓝光和绿光波段激光器的室温激射,并正向紫外方向拓展。在长波方向,基于能带剪裁的量子级联激光器已经覆盖了3~25μm和太赫兹波段,锑化物激光器在2~4μm波段实现商用。
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关键词
半导体激光器
量子级联激光器
外延技术
激光制造
激光成像
光纤通信
GAN材料
宽禁带
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分类号
TN248.4
[电子电信—物理电子学]
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