中继卫星H_∞姿态稳定控制研究

主要研究中继卫星H∞回路成形姿态稳定控制问题。中继卫星具有弱阻尼的柔性模态频率和晃动模态频率,并且模态频率具有不确定性,同时系统增益也存在有较大的变化。首先利用拉格朗日方程建立了该卫星的动力学方程,描述了系统存在的结构不确定性,然后设计了H∞回路成形控制器。在设计过程中,首先提出了控制系统所需要满足的鲁棒稳定性和鲁棒性能指标;随后利用H∞回路成形理论设计了卫星的姿态稳定控制器,利用ν间隔度量方法对所设计的控制器进行了降阶处理,并且对所设计的控制器进行了鲁棒稳定性和鲁棒性能分析;最后通过数学仿真证明了所设计的控制器的有效性。

空位缺陷对单晶硅薄膜热导率影响的分子动力学模拟研究

采用非平衡分子动力学（NEMD）方法及Tersoff势能函数模拟了微尺度下空位结构缺陷对单晶硅薄膜热导率的影响。结果表明，硅薄膜的热导率随空位浓度的增加而明显减小。当温度为300-700K时，随着温度的升高，空位浓度对热导率的影响以及同一空位浓度下温度对热导率的影响都逐渐减弱。

基于分子动力学对超晶格结构界面热阻的模拟研究

利用非平衡分子动力学方法对S i/Ge超晶格结构的界面热阻进行模拟。模拟结果表明最靠近高温热浴的界面热阻控制整个结构的热传导性能,并且超晶格结构的周期长度以及温度等因素也会对界面热阻产生不同影响。随着周期长度的增大,界面热阻越来越小,超晶格结构的导热能力增强。受声子非弹性散射机制的影响,界面热阻随温度的升高也逐渐减小。

单晶硅薄膜法向热导率的分子动力学模拟

结合卫星“微型核”的特点,用分子动力学模拟的方法研究了硅晶体的热导率与其厚度的依变关系.采用Tersoff势能函数,用非平衡分子动力学方法（NEMD）研究了温度为400 K和500 K,厚度为2.715-10.86 nm的单晶硅薄膜的热导率.模拟结果表明：在温度为400 K和500 K时,薄膜热导率的计算值均随厚度的增加而增加,并显著小于体硅的实验值,在模拟范围内法向热导率与薄膜厚度呈近视线性关系.模拟结果表现出明显的尺寸效应.厚度为2.715 nm和8.145 nm的单晶硅薄膜的热导率随着温度的升高反而下降,且厚度越大,下降趋势越明显.

微尺度下硅锗合金热导率的分子动力学模拟

采用非平衡分子动力学(NEMD)方法研究了微尺度下硅锗合金的热导率变化情况.结果表明,硅锗合金热导率具有明显的尺寸效应,显著小于大体积晶体的实验值;并且受边界散射效应的影响,热导率值随硅锗原子百分比的不同发生变化;同时热导率随温度的升高而增大,与实验值比较大致吻合.